T4312816A-8S 参数 Datasheet PDF下载

型号：	T4312816A-8S
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	8M ×16 SDRAM [8M x 16 SDRAM]
分类和应用：	内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
文件页数/大小：	29 页 / 710 K
品牌：	TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]

•

初步T4312816A

SDRAM

特点

3.3V电源

四家银行的操作

LVTTL与复用地址兼容

所有的输入进行采样，正持续

系统时钟的边沿

•

突发读取单位写操作

•

DQM用于屏蔽

•

自动刷新和自刷新

•

64ms的刷新周期（ 4K周期）

•

MRS周期与解决关键程序

- CAS延迟（ 2 & 3 ）

- 突发长度（1， 2，4， 8 &全页）

- 突发类型（顺序&交错）

•

在54引脚TSOP封装可供类型（ II ）

•

工作温度： 0 〜+ 70

°C

8M ×16 SDRAM

2米x 16位X 4Banks同步DRAM

GRNERAL描述

该

T4312816A

134,217,728

位

同步高数据速率动态RAM

16位组织成4× 2,097,152字，

装配式

技术。

同步设计，可以精确控制周期

通过使用系统时钟的I / O事务都

可能在每个clockcycle 。经营范围

频率，可编程的突发长度和

可编程延迟允许在同一个设备到

对于各种高带宽是有用的，高

高性能内存系统的应用程序。

同

高

性能

CMOS

订购信息

产品型号

最大

频率

温度

管脚配置（顶

VIEW ）

5 4 P在T S 0 P（ II ）

（4 0 0米金正日×8 7 5米IL ）

（ 0 0.8米米P IN P IT CH）

V SS

ð问题15

SSQ

DQ0

T4312816A-6S

T4312816A-7S

T4312816A-7.5S

T4312816A-8S

T4312816A-10S

166兆赫

143兆赫

133兆赫

125兆赫

100兆赫

0 ~ +70°C

DDQ

DQ1

DQ2

SSQ

ð问题14

ð Q 13

DDQ

DQ3

DQ4

DDQ

ð Q 12

ð Q 11

SSQ

DQ1

DQ9

DDQ

DQ5

DQ6

SSQ

DQ7

DQ8

V SS

ñ 。C / RF ü

UDQM

CLK

CKE

ñ .C

A 11

V SS

LD Q·M·

宽E

CAS

RAS

BA0

BA1

A 1 0 / A P

TM科技公司保留权利

P. 1

改变产品或规格，恕不另行通知。

出版日期：四月2003

修订： 0.B

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案