tm
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TE
CH
T4312816B
SDRAM
特点
从时钟的快速存取时间： 5 / 5.4纳秒
快速时钟速率：一百四十三分之一百六十六兆赫
完全同步操作
内部流水线结构
2M字×16位×4银行
可编程模式寄存器
- CAS ＃延迟： 2或3
- 突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，或整页
- 突发类型：交错式或线性爆裂
- 突发停止功能
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的
CKE断电模式
+ 3.3V单电源供电
接口： LVTTL
54引脚400密耳的塑料TSOP II封装
无铅封装可用
8M ×16 SDRAM
2米x 16位X 4Banks同步DRAM
GRNERAL描述
该T4312816B SDRAM是高速CMOS
同步DRAM包含128兆位。这是内部
配置为4银行2M字×16的DRAM与
同步接口（所有信号被登记在
时钟信号CLK ）的上升沿。读取和写入
访问到SDRAM是迸发导向;存取开始
一个选定的位置，并继续进行编程的数
在一个编程的顺序位置。访问开始
用BankActivate命令，它是登记
然后是读或写命令。
该T4312816B提供可编程只读或
写的1突发长度，2，4 ，8，或整页，用一个脉冲串
终止选项。自动预充电功能可以是
使能，以提供一个自定时行预充电是
在脉冲串序列的末尾开始。刷新
功能，自动或自刷新易于使用。
通过具有可编程的模式寄存器，系统
可以选择最合适的模式，以最大限度地发挥其
性能。这些装置非常适用于应用
需要高内存带宽，并特别好
适用于高性能的PC应用程序
.
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管脚配置（顶
VIEW ）
V DD
DQ0
V DDQ
DQ1
DQ2
V SSQ
DQ3
DQ4
V DDQ
DQ5
DQ6
V SSQ
DQ7
V DD
DQM L
/ WE
/ CA中
/ RA S
/ CS
BA0
BA1
A 1 0（ P）
A0
A1
A2
A3
V DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V SS
DQ1 5
V SSQ
DQ1 4
DQ1 3
V DDQ
DQ1 2
DQ1 1
V SSQ
DQ1 0
DQ9
V DDQ
DQ8
V SS
NC
DQM ü
CL ķ
CK ê
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V SS
订购信息
关键的特定连接的阳离子
T4312816B
- 6/7
6/7 NS
5 / 5.4纳秒
42/42 NS
60/63 NS
t
CK3
t
AC3
t
RAS
t
RC
时钟周期时间（min 。 ）
存取时间从CLK （最大）
行活动时间（分钟）
行周期时间（min 。 ）
订购信息
产品型号
T4312816B -6S
T4312816B -6SG
T4312816B -7S
T4312816B -7SG
“G ”表示无铅
频率
166MHz
166MHz
143MHz
143MHz
包
TSOP II
TSOP II
TSOP II
TSOP II
TM科技公司保留权利
P. 1
改变产品或规格，恕不另行通知。
出版日期：二月2007年
修订版：A
TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
