T431616A-7CI 参数 Datasheet PDF下载

型号：	T431616A-7CI
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内容描述：	1M ×16 SDRAM [1M x 16 SDRAM]
分类和应用：	内存集成电路动态存储器时钟
文件页数/大小：	31 页 / 1608 K
品牌：	TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]

•

T431616A

SDRAM

特点

3.3V电源

时钟周期时间： 6/7 /8/ 10纳秒

双银行操作

LVTTL与复用地址兼容

所有的输入进行采样，正持续

系统时钟的边沿

•

突发读取单位写操作

•

DQM用于屏蔽

•

自动刷新和自刷新

•

32ms的刷新周期（ 2K周期）

•

MRS周期与解决关键程序

- CAS延迟（ 2 & 3 ）

- 突发长度（1， 2，4， 8 &全页）

- 突发类型（顺序&交错）

•

在50引脚TSOP封装可供类型（ II ）

和60引脚CSP 。

•

工作温度：

- -5 ~ +70

°C

-40 ~ +85

°C

1M ×16 SDRAM

512K X 16位X 2Banks同步DRAM

GRNERAL描述

该T431616A是16777216位同步

动态RAM组织为高数据速率

2× 524,288字（16位），制造高

高性能CMOS技术。同步

设计允许与使用精确的周期控制

系统时钟的I / O事务处理可在每

时钟周期。工作频率范围内，

可编程的突发长度和可编程

延迟允许在同一个设备是一个有用

各种高带宽，高性能

存储器系统的应用程序。

型号示例

产品型号

时钟

周期

7ns

最大

频率

包

TSOP -II

CSP

TSOP -II

CSP

操作

温度

T431616A-7S

T431616A-7C

T431616A-7SI

T431616A-7CI

143兆赫

-5 ~ +70

°C

-5 ~ +70

°C

-40 ~ +85

°C

-40 ~ +85

°C

台湾记忆体技术，公司保留权利

P. 1

改变产品或规格，恕不另行通知。

出版日期：十二月2000

版本：C

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