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T431616B-20S 参数 Datasheet PDF下载

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型号: T431616B-20S
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内容描述: 1M ×16 SDRAM 512K X 16位X 2Banks同步DRAM [1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
文件页数/大小: 31 页 / 567 K
品牌: TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
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tm
TE
CH
T431616B
SDRAM
特点
+2.7至+ 3.6V电源
双银行操作
LVTTL与复用地址兼容
所有的输入进行采样,正边沿
系统时钟的
突发读取单位写操作
DQM用于屏蔽
自动刷新和自刷新
32ms的刷新周期( 2K周期)
MRS周期与解决关键程序
- CAS延迟( 1 & 2 & 3 )
- 突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
- 突发类型(顺序&交错)
在50引脚TSOP封装可供类型( II )
1M ×16 SDRAM
512K X 16位X 2Banks同步DRAM
GRNERAL描述
该T431616B是16777216位同步
动态RAM组织为高数据速率
2× 524,288字(16位) ,制造高
高性能CMOS技术。同步
设计允许与使用精确的周期控制
系统时钟的I / O事务处理可在每
clockcycle 。工作频率范围内,
可编程的突发长度和可编程
延迟允许在同一个设备是一个有用
各种高带宽,高性能
存储器系统的应用程序。
和60引脚CSP
订购信息
最大
产品型号
频率
T431616B-20S
T431616B-20C
T431616B-10S
T431616B-10C
50兆赫
50兆赫
100兆赫
100兆赫
TSOP -II
CSP
TSOP -II
CSP
台湾记忆体技术,公司保留权利
P. 1
改变产品或规格,恕不另行通知。
出版日期:七月2001年
修订版:A