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T431616C-6SG 参数 Datasheet PDF下载

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型号: T431616C-6SG
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内容描述: 1M ×16 SDRAM 512K X 16位X 2Banks同步DRAM [1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
文件页数/大小: 30 页 / 718 K
品牌: TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
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tm
TE
CH
T431616C
SDRAM
特点
3.3V电源
时钟周期时间: 6月7日NS
双银行操作
LVTTL与复用地址兼容
所有的输入进行采样,正持续
系统时钟的边沿
突发读取单位写操作
DQM用于屏蔽
自动刷新和自刷新
32ms的刷新周期( 2K周期)
MRS周期与解决关键程序
- CAS延迟( 2 & 3 )
- 突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
- 突发类型(顺序&交错)
可用封装类型:
- 50引脚TSOP ( II ) /无铅
工作温度:
- 0 ~ +70
°C
1M ×16 SDRAM
512K X 16位X 2Banks同步DRAM
GRNERAL描述
该T431616C是16777216位同步
动态RAM组织为高数据速率
2× 524,288字(16位) ,制造高
高性能CMOS技术。同步
设计允许与使用精确的周期控制
系统时钟的I / O事务处理可在每
时钟周期。工作频率范围内,
可编程的突发长度和可编程
延迟允许在同一个设备是一个有用
各种高带宽,高性能
存储器系统的应用程序。
订购信息
产品型号
时钟
周期
6ns
6ns
7ns
7ns
最大
频率
TSOP -II
TSOP -II
LEAD -FREE
TSOP -II
TSOP -II
LEAD -FREE
操作
温度
T431616C-6S
T431616C-6SG
T431616C-7S
T431616C-7SG
166兆赫
166兆赫
143兆赫
143兆赫
0 ~ +70
°C
0 ~ +70
°C
0 ~ +70
°C
0 ~ +70
°C
TM科技公司保留权利
P. 1
改变产品或规格,恕不另行通知。
出版日期:八月2004年
修订版:A