tm
TE
CH
T431616D/E
SDRAM
特点
快速访问时间： 5/6/7 NS
•
快速时钟速率： 200/166/143 MHz的
•
自刷新模式：标准模式和低功耗
•
内部流水线结构
•
512K字×16位×2银行
•
可编程模式寄存器
- CAS＃延迟： 1，2，或3个
- 突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，或整页
- 突发类型：交错式或线性爆裂
- 突发停止功能
•
通过LDQM和UDQM控制单个字节
•
自动刷新和自刷新
•
4096刷新周期/ 64ms的
•
CKE断电模式
•
JEDEC标准的+ 3.3V
±
0.3V电源
•
接口： LVTTL
•
50引脚400密耳的塑料TSOP II封装
•
60球， 6.4x10.1mm VFBGA封装
•
为TSOP II提供无铅封装，并
VFBGA
•
低工作电流为T431616E
1M ×16 SDRAM
512K X 16位X 2Banks同步DRAM
GRNERAL描述
该T431616D / E SDRAM是高速CMOS
同步DRAM含有16兆比特。这是内部
配置为双512K字×16的DRAM与
同步接口（所有信号被登记在
时钟信号CLK ）的上升沿。每个
512K ×16位的银行组织为2048行，256
列由16位。读取和写入访问到
SDRAM是迸发导向;存取开始以选定
位置和持续的编程号码
地点在编程序列。访问开始
有BankActivate命令注册该
随后是一个读或写命令。
该T431616D / E提供了可编程只读
或写入的1，2， 4，8，或整页突发的长度，用
突发终止选项。自动预充电功能
可被使能，以提供一个自定时行预充电
被引发的脉冲串序列的末端。该
刷新功能，自动或自刷新容易
使用。通过具有可编程的模式寄存器，所述
系统可以选择最合适的模式，以最大化
它的性能。这些装置非常适用于
需要高内存带宽的应用和
特别适合于高性能的个人计算机
应用
关键的特定连接的阳离子
T431616D/E
t
CK3
t
RAS
t
AC3
t
RC
时钟周期时间（min 。 ）
行有效时间（最大）
存取时间从CLK （最大）
行周期时间（min 。 ）
-5/6/7
5/6/7ns
35/42/42 NS
4.5 / 5 / 5.5纳秒
48/54/63 NS
订购信息
产品型号
T431616D-5S/C
T431616D-5SG/CG
T431616D-6S/C
T431616D-6SG/CG
T431616D-7S/C
T431616D-7SG/CG
T431616E-7S/C
T431616E-7SG/CG
G：表示无铅封装
频率
200MHz
200MHz
166MHz
166MHz
143MHz
143MHz
143MHz
143MHz
包
TSOP II / VFBGA
TSOP II / VFBGA
TSOP II / VFBGA
TSOP II / VFBGA
TSOP II / VFBGA
TSOP II / VFBGA
TSOP II / VFBGA
TSOP II / VFBGA
TM科技公司保留权利
P. 1
改变产品或规格，恕不另行通知。
出版日期：二月2007年
修订版：A
TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
