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T436416A-6S 参数 Datasheet PDF下载

T436416A-6S图片预览
型号: T436416A-6S
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内容描述: 4M ×16 SDRAM [4M X 16 SDRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 29 页 / 710 K
品牌: TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
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tm
TE
CH
T436416A
SDRAM
特点
3.3V电源
四家银行的操作
LVTTL与复用地址兼容
所有的输入进行采样,正持续
系统时钟的边沿
突发读取单位写操作
DQM用于屏蔽
自动刷新和自刷新
64ms的刷新周期( 4K周期)
MRS周期与解决关键程序
- CAS延迟( 2 & 3 )
- 突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
- 突发类型(顺序&交错)
在54引脚TSOP封装可供类型( II )
工作温度: 0 〜+ 70
°C
4M ×16 SDRAM
1M X 16位X 4Banks同步DRAM
GRNERAL描述
该T436416A为67,108,864比特同步
动态RAM组织为高数据速率
4× 1,048,576字×16位,与制作
高性能CMOS技术。
同步设计,可以精确控制周期
通过使用系统时钟的I / O事务都
可能在每个clockcycle 。经营范围
频率,可编程的突发长度和
可编程延迟允许在同一个设备到
对于各种高带宽是有用的,高
高性能内存系统的应用程序。
管脚配置(顶
VIEW )
订购信息
产品型号
最大
频率
V
DD
1
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27
5 4 P在T S 0 P( II )
(4 0 0米金正日×8 7 5米IL )
( 0 0.8米米P IN P IT CH)
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V SS
ð问题15
V
SSQ
DQ0
V
DDQ
T436416A-6S
T436416A-7S
T436416A-7.5S
T436416A-8S
T436416A-10S
T436416A-6SG
T436416A-7SG
T436416A-7.5SG
T436416A-8SG
T436416A-10SG
166兆赫
143兆赫
133兆赫
125兆赫
100兆赫
166兆赫
143兆赫
133兆赫
125兆赫
100兆赫
54脚TSOP ( II )
54脚TSOP ( II )
54脚TSOP ( II )
54脚TSOP ( II )
54脚TSOP ( II )
54脚TSOP ( II )
LEAD -FREE
54脚TSOP ( II )
LEAD -FREE
54脚TSOP ( II )
LEAD -FREE
54脚TSOP ( II )
LEAD -FREE
54脚TSOP ( II )
LEAD -FREE
DQ1
DQ2
V
SSQ
ð问题14
ð Q 13
V
DDQ
DQ3
DQ4
V
DDQ
ð Q 12
ð Q 11
V
SSQ
DQ5
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V
SSQ
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V
DDQ
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V
DD
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V SS
ñ 。C / RF ü
UDQM
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A 11
A9
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A6
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BA1
A 1 0 / A P
A0
A1
A2
A3
V
DD
TM科技公司保留权利
P. 1
改变产品或规格,恕不另行通知。
出版日期:五月。 2003
修订: B