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T436416A-6S 参数 Datasheet PDF下载

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型号: T436416A-6S
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内容描述: 4M ×16 SDRAM [4M X 16 SDRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 29 页 / 710 K
品牌: TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
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tm
TE
CH
T436416A
经营AC参数
(交流opterating条件,除非另有说明)
参数
行有效至行主动延迟
RAS到CAS延迟
行预充电时间
行活动时间
行周期时间
最后的数据到新的关口。地址的延迟
在过去的数据来行预充电
在最后的数据以突发停止
上校地址上校地址的延迟
的有效输出数据的数量
符号
-6
12
16
18
42
60
极速版
-7 -7.5 -8
14
18
20
42
63
15
18
20
45
100K
65
1
2
1
1
1
1
68
16
20
20
48
-10
20
20
20
50
70
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CLK
CLK
CLK
CLK
ea
1
1
1
1
1
2
2
2
3
4
t
RRD
(分钟)
t
RCD
(分钟)
t
RP
(分钟)
t
RAS
(分钟)
t
RAS
(最大)
t
RC
(分钟)
t
CDL
(分钟)
t
RDL
(分钟)
t
BDL
(分钟)
t
CCD
(分钟)
CAS延时= 3
CAS延时= 2
注意:
1.时钟周期的最小数目是通过将所需的最短时间来确定
与时钟周期的时间,然后四舍五入到下一个较大整数。
2.最小的延迟才能完成写操作。
3.所有部件,使每一个周期的列地址的变化。
4.如遇行预充电中断,自动预充电和读取突发停止。
最早的一个预充电命令可以读出指令后没有数据的丢失是发
CL + BL-2时钟。
TM科技公司保留权利
P. 7
改变产品或规格,恕不另行通知。
出版日期:五月。 2003
修订: B