tm
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TE
CH
T436416D
SDRAM
特点
从时钟的快速存取时间： 4.5 / 5 / 5.4纳秒
快速时钟速率： 200/166/143 MHz的
完全同步操作
内部流水线结构
1M字×16位×4银行
可编程模式寄存器
- CAS ＃延迟： 2或3
- 突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，或整页
- 突发类型：交错式或线性爆裂
- 突发停止功能
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自动刷新和自刷新
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4096刷新周期/ 64ms的
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CKE断电模式
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+ 3.3V单
±
0.3V电源
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接口： LVTTL
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54引脚400密耳的塑料TSOP II封装
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60球，6.4毫米× 10.1毫米TFBGA封装
4M ×16 SDRAM
1M X 16位X 4Banks同步DRAM
GRNERAL描述
该T436416D SDRAM是高速CMOS
同步DRAM含有64兆比特。这是内部
配置为4银行1M字×16的DRAM与
同步接口（所有信号被登记在
时钟信号CLK ）的上升沿。读取和写入
访问到SDRAM是迸发导向;访问
开始在一个选定的位置，并持续一段
在编程的位置设定的号码
序列。访问开始时的注册
BankActivate命令，然后接着是
读或写命令。
该T436416D提供了可编程只读
或写入的1，2， 4，8，或整页突发的长度，用
突发终止选项。自动预充电功能
可被使能，以提供一个自定时行预充电
被引发的脉冲串序列的末端。该
刷新功能，自动或自刷新容易
使用。
通过具有可编程的模式寄存器，所述
系统可以选择最合适的模式，以最大化
它的性能。这些装置非常适用于
需要高内存带宽的应用和
特别适合于高性能的个人计算机
应用程序。
关键的特定连接的阳离子
T436416D
-
5/6/7
5/6/7 NS
4.5 / 5 / 5.4 / NS
35/42/45 NS
50/60/63 NS
t
CK3
t
AC3
t
RAS
t
RC
时钟周期时间（min 。 ）
存取时间从CLK （最大）
行活动时间（分钟）
行周期时间（min 。 ）
订购信息
产品型号
T436416D-5S/-5C
T436416D-5SG/-5CG
T436416D-6S/-6C
T436416D-6SG/-6CG
T436416D-7S/-7C
频率
200MHz
200MHz
166MHz
166MHz
143MHz
包
TSOP II / TFBGA
TSOP II / TFBGA
TSOP II / TFBGA
TSOP II / TFBGA
TSOP II / TFBGA
TSOP II / TFBGA
T436416D - 7SG / -7CG 143MHz下
S：表示TSOPII封装，
C：表示TFBGA封装，
G：表示无铅封装
TM科技公司保留权利
P. 1
改变产品或规格，恕不另行通知。
出版日期：二月2007年
修订版：A
TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
