tm
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TE
CH
T436432B
SDRAM
特点
3.3V电源
时钟周期时间: 5 / 5.5 / 6/7 /8/ 10纳秒
国内四家银行的操作
LVTTL与复用地址兼容
所有的输入进行采样,正持续
系统时钟的边沿
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突发读取单位写操作
•
DQM用于屏蔽
•
自动刷新和自刷新
•
64ms的刷新周期( 4K周期)
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MRS周期与解决关键程序
- CAS延迟( 2 & 3 )
- 突发长度:
1,2, 4,8或整页为连续脉冲串
1,2, 4或8个为交错突发
•
可用封装类型:
- 86引脚400mil TSOP ( II)和无铅
•
工作温度:
- 0 ~ +70
°C
2M ×32 SDRAM
512K X 32位X 4Banks同步DRAM
GRNERAL描述
该T436432B为67,108,864比特同步
动态RAM组织为高数据速率
4× 524,288字32位,制造高
高性能CMOS技术。同步
设计允许与使用精确的周期控制
系统时钟的I / O事务处理可在每
时钟周期。工作频率范围内,
可编程的突发长度和可编程
延迟允许在同一个设备是一个有用
各种高带宽,高性能
存储器系统的应用程序。
型号示例
产品型号
时钟
周期
5ns
5ns
5.5ns
5.5ns
6ns
6ns
7ns
7ns
8ns
8ns
10ns
10ns
最大
频率
包
TSOP -II无铅
TSOP -II
TSOP -II无铅
TSOP -II
TSOP -II无铅
TSOP -II
TSOP -II无铅
TSOP -II
TSOP -II无铅
TSOP -II
TSOP -II无铅
TSOP -II
操作
温度
T436432B-5SG
T436432B-5S
T436432B-55SG
T436432B-55S
T436432B-6SG
T436432B-6S
T436432B-7SG
T436432B-7S
T436432B-8SG
T436432B-8S
T436432B-10SG
T436432B-10S
200兆赫
200兆赫
183兆赫
183兆赫
166兆赫
166兆赫
143兆赫
143兆赫
125兆赫
125兆赫
100兆赫
100兆赫
0 ~ +70
°C
0 ~ +70
°C
0 ~ +70
°C
0 ~ +70
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0 ~ +70
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0 ~ +70
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0 ~ +70
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0 ~ +70
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0 ~ +70
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0 ~ +70
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TM科技公司保留权利
P. 1
改变产品或规格,恕不另行通知。
出版日期:二月2007年
修订版:A