tm
CLK
地址
命令
TE
CH
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T436432B
T8
银行，
柱A
BANK （S ）
银行，
ROW
t
RP
读了
NOP
NOP
NOP
预充电
NOP
NOP
激活
NOP
CAS ＃延迟= 2
TCK2 ， DQ的
CAS＃延迟= 3
tCK3 ， DQ的
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
读预充电（ CAS ＃延迟= 2 ， 3 ）
5
阅读和AutoPrecharge命令
（ RAS ＃ = "H" ， CAS＃ = "L" ， WE＃ = "H" ， BS =银行， A10 = "H" ， A0 - A7 =列地址）
读取和AutoPrecharge命令会自动读取后进行预充电操作
操作。一旦该命令被给出，任何随后的命令可以在一个时间延迟不会发生
{t
RP
（分）
+突发长度} 。在整页突发，在该命令和自动预充电仅执行读取操作
功能被忽略。
写命令
（ RAS ＃ = "H" ， CAS＃ = "L" ， WE＃ = "L" ， BS =银行， A10 = "L" ， A0 - A7 =列地址）
写命令用于从一个活动行写上一阵连续的时钟周期数据
有效的银行。银行必须至少激活吨
RCD
Write指令之前（分钟）发出。在写
连发，第一个有效数据的元素将被注册暗合了写命令。随后的数据
元素将在每个连续的正时钟沿（参照下图）中注册。 DQS的
仍与高阻抗在脉冲串的末端，除非另一个命令被启动。突发长度和
脉冲串序列是由模式寄存器，它已被编程来确定。一个全页突发会
继续下去，直到结束（在页面的结尾会换到第0列，并继续） 。
T0
CLK
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
6
COM命令
NOP
写一个
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DQ0 - DQ3
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
不关心
所述第一数据元和所述写
被登记在同一个时钟边缘。
额外的数据被屏蔽。
突发写操作（突发长度= 4 ， CAS＃延迟= 1 ， 2 ， 3 ）
没有AutoPrecharge功能的写突发可以通过后续的写中断，
BankPrecharge / PrechargeAll ，或突发长度结束前读命令。中断来自何处
写命令按照前面Write指令可以出现在任何时钟周期（参考下面的
图）。
TM科技公司保留权利
P. 9
改变产品或规格，恕不另行通知。
出版日期：二月2007年
修订版：A
TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
