tm
特点
TE
CH
T63H0006B
T63H0006B
•低电源电流：
工作电流： 3.0uA （ TYP 。 ）
待机电流： 0.15uA （ TYP 。 ）
（检测后过放电）
•高精度检测阈值：
过充电检测器（ TOPT =25ºC ） +/- 25mV的
•各种检测器阈值
:
- 过充电检测电压
4.225V至0.005V的4.375V一步
- 过放电检测电压
2.4V至0.005V的2.6V步
•内置保护电路
:
计算机软硬件过流保护
0.13V至0.04V的0.17V步骤
-
精度± 15 ％
•输出的过充电延迟
:
延时VDD = 3.6V至4.3V 110毫秒
（结果是从T63H0006B -AX测定）
•过度discharg的输出延时：
VDD = 3.6V至2.4V ，内置的电容为10ms
•小型封装SOT23-6 / 6针
锂离子电池保护器
概述
该T63H0006B是保护IC
可再充电单电池的过充电/放电
锂离子（Li + ），过量的负载电流，还
包括一个短路保护电路，用于防止
大的外部短路电流。
每个集成电路的是由三个电压的
检测器，一个参考单元，一个延时电路，一个短
电路保护器，以及一个逻辑电路。当
充电电压超过阈值检测器
从低值到比VDET1越高，则
输出Cout的针，过充电的输出
检测仪/ VD1 ，切换到较低水平，充电器
负引脚的电平。在检测过充电
VD1可以复位和Cout的输出变为
当VDD电压下来到高
电平比“ VREL1 ”低级时，或当一个种
负载被连接到VDD后一充电器
从当VDD电池组断开
电平是在“ VDET1 ”和“ VREL1 ”之间的
T63H0006B.
DOUT引脚输出，输出
过放电检测仪/ VD2 ，切换到低
通过后，内部固定的延迟时间的水平，当
放电电压穿越检测门槛
从一个高的值低于VDET2 。后
T63H0006B检测过放电电压，
一个充电器连接到电池组，并且当
电池电源电压变得比更高
过放电检测器的阈值，VD2被释放
和的Dout的电压变为“H”电平。
过量的负载电流可被检测到并切断
之后，通过通过内部固定的延迟时间
内置过电流检测， VD3与Dout的
被启动为低电平。检测后，一旦
过量电流时， VD3被释放， Dout的电平
切换到高通过从一个分离的电池组
负载系统。
此外，短路保护，使Dout的水平
与外部短路立即低
当前和再移动外部短路导线
DOUT水平高。在检测过放电，
电源电流将保持极低的通过停止
一些内部电路运行。的输出延迟
的过充电检测器可以通过连接设置
外部电容器。 cout和DOUT引脚输出类型
是CMOS 。 6针， SOT23-6可用。
型号示例
产品型号
过度
过度
充电充电
标包的类型
检测版本
电压电压
4.25V
4.35V
4.30V
4.28V
….
4.05V
4.15V
4.10V
4.08V
….
006A
006B
006C
006D
SOT-23-6
SOT-23-6
SOT-23-6
SOT-23-6
….
T63H0006B-AX
T63H0006B-BX
T63H0006B-CX
T63H0006B-DX
【注意事项
注：新的模型版本和具体
特点可能是为了通过客户。
TM科技公司保留权利
P. 1
改变产品或规格，恕不另行通知。
出版日期：六月2004年
修订： B
TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
