XC62E
系列
ⅵELECTRICAL
特征
XC62EP3002
VOUT(T)=3.0V
(*1)
Ta=25℃
符号
V
OUT （ E）
(*2)
I
OUT MAX
△V
OUT
VDIF
I
SS1
I
SS2
△V
OUT
△V
IN
・V
OUT
△V
IN
△V
OUT
△范围Topr ·V
OUT
V
EXT
I
泄漏
V
CEH
V
CEL
I
CEH
I
CEL
V
CE
=V
IN
V
CE
=V
SS
条件
I
OUT
=50mA
V
IN
=4.0V
V
IN
=4.0V
V
IN
=4.0V
1mA≦I
OUT
≦100mA
I
OUT
=100mA
V
IN
=4.0V, V
CE
=V
SS
V
IN
=8.0V,V
CE
=V
IN
I
OUT
=50mA
4.0V≦V
IN
≦8.0V
I
OUT
=10mA
-30℃≦Topr≦80℃
分钟。
2.940
-
-60
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5
-
-
-0.2
典型值。
3.000
1000
-
100
50
-
0.1
-
±100
-
-
-
-
-
-0.05
马克斯。
3.060
-
60
-
80
0.6
0.3
8.0
-
8.0
0.5
-
0.25
0.1
0
单位
V
mA
mV
mV
μA
μA
%V
V
PPM / °
V
μA
V
V
μA
μA
参数
输出电压
最大输出电流*
负载调整率
(*6)
输入输出电压差
(*3)
电源电流1
电源电流2
线路调整
(*6)
输入电压
输出电压
温度特性
(*6)
EXT输出电压
EXT泄漏电流
CE "High"电平电压
CE "Low"电平电压
CE "High"级电流
CE "Low"级电流
的特性为XC62ER系列是与上述相同的除了CE操作系统逻辑，这是相反的。
注意：
*1: V
OUT （T）=
额定输出电压。
*2: V
OUT （ E） =
有效输出电压（即输出电压时"V
OUT （T ）+。
1.0V"是在V提供
IN
同时保持引脚
一定我
OUT
值）。
* 3 ： VDIF = {V
IN1
(*5)
-V
OUT1
(*4)
}
*4: V
OUT1
= A的电压等于98％的输出电压的每当一个充分稳定的我
OUT
{V
OUT （T ）+。
1.0V }输入。
*5: V
IN1
：输入电压在V
OUT1
显示为输入电压逐渐减小。
* 6：特性参数是容易，这取决于晶体管用于改变。
请用一个晶体管具有低的饱和电压电平与hFE参数等于100或更多。
* 7：最大输出电流值不表示连续输出的值由于2AS1213的局限
晶体管的功耗。
4/12
TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
