XP131A0232SR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	XP131A0232SR
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内容描述：	N沟道功率MOS FET [N-Channel Power MOS FET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 170 K
品牌：	TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]

XP131A0232SR

■典型性能特征

漏极电流与漏源电压

脉冲测试，TA = 25℃

2.5V

漏电流与栅源电压

脉冲测试， VDS = 10V

漏电流： ID（ A）

1.5V

Topr＝25℃

Vgs＝1V

125℃

-55℃

漏源电压： Vds的（V ）

栅源电压：栅极电压（V ）

漏源导通电阻

与栅源电压

0.1

脉冲测试，TA = 25℃

漏源导通电阻

与漏电流

0.1

脉冲测试，TA = 25℃

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.08

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

Vgs＝1.5V

2.5V

0.06

Id＝4A

0.04

4.5V

0.02

0.01

栅源电压：栅极电压（V ）

漏电流： ID（ A）

漏源导通电阻

- 环境温度

0.1

脉冲测试

门源截止电压方差

- 环境温度

门源截止电压方差

：栅极电压（关）方差（V ）

0.5

VDS = 10V ，ID = 1毫安

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.08

Id＝4A

0.06

Vgs＝1.5V

4A,8A

0.04

2.5V

4A,8A

4.5V

-60

-30

120

150

0.25

0.02

-0.25

-0.5

-60

-30

120

150

周围温度：范围Topr （℃）

721

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