XP133A1145SR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	XP133A1145SR
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内容描述：	功率MOS FET [Power MOS FET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 161 K
品牌：	TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]

XP133A1145SR

■典型性能特征

漏极电流与漏源电压

TA = 25 ℃时，脉冲测试

漏电流与栅源电压

VDS = -10V ，脉冲测试

10V

4.5V

3.5V

漏电流： ID（ A）

25℃

Ta=125℃

-55℃

Vgs=2.5V

漏源电压： Vds的（V ）

栅源电压：栅极电压（V ）

漏源导通电阻

与栅源电压

0.1

TA = 25 ℃时，脉冲测试

漏源导通电阻

与漏电流

0.1

TA = 25 ℃时，脉冲测试

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.08

Id=3A

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.06

Vgs=4.5V

10V

0.04

0.02

0.01

栅源电压：栅极电压（V ）

漏电流： ID（ A）

漏源导通电阻

- 环境温度

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.1

脉冲测试

门源截止电压方差

- 环境温度

0.8

VDS = 10V ，ID = 1毫安

门源截止电压方差

：栅极电压（关）方差（V ）

0.6

0.4

0.2

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

0.08

0.06

Id=6A

0.04

Vgs=4.5V

3A, 6A

0.02

10V

-50

100

150

-50

100

150

环境温度。：范围Topr （ ℃ ）

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