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XP134A11A1SR 参数 Datasheet PDF下载

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型号: XP134A11A1SR
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内容描述: P沟道功率MOS FET [P-Channel Power MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 63 K
品牌: TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
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XP134A11A1SR
s
电气特性
DC特性
参数
排水截止电流
栅极 - 源极漏电流
栅极 - 源极截止电压
漏极 - 源极导通状态
电阻(注)
正向转移导纳
(注)
续流保护二极管
正向电压
注:脉冲测试期间有效。
功率MOS FET
TA = 25 :
符号
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
RDS ( ON)
YFS
Vf
条件
VDS = -30V , VGS = 0V
VGS = ± 20V , VDS = 0V
ID = -1mA , VDS = -10V
ID = -2A , VGS = -10V
ID = -2A , VGS = -4.5V
ID = -2A , VDS = -10V
如果= -4A , VGS = 0V
典型值
最大
-10
±1
-1.0
0.055
0.09
5
-0.85
-1.1
-2.5
0.065
0.11
单位
µA
µA
V
S
V
动态特性
参数
输入电容
输出电容
反馈电容
符号
西塞
科斯
CRSS
条件
VDS = -10V , VGS = 0V
f=1MHz
典型值
680
450
170
最大
TA = 25 :
单位
pF
pF
pF
u
开关特性
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
VGS = -5V ,ID = -2A
Vdd=-10V
条件
典型值
15
20
30
20
最大
TA = 25 :
单位
ns
ns
ns
ns
热特性
参数
热阻
(通道周围)
符号
RTH ( CH -A )
条件
实现在玻璃环氧
树脂板
典型值
62.5
最大
单位
:/W
430