功率MOS FET
NP-通道
功率MOS FET
NDMOS
结构
N低
导通状态电阻: 0.075Ω (最大值)
NUltra
高速开关
NSOP-8
包
N2
场效应器件内置
■应用
GNotebook
个
GCellular
和手提电话
坤板
电源
GLI离子
电池系统
■概述
该XP134A1275SR是P沟道功率MOS FET的低通态
电阻和超高速开关特性。
两个FET器件都内置入一个包。
因为高速切换是可能的,该IC可以有效地设置
从而节省了能源。
小型SOP -8封装,使高密度安装成为可能。
■特点
低通态电阻
: RDS(ON) = 0.075Ω ( VGS = -4.5V )
: RDS(ON) = 0.115Ω ( VGS = -2.5V )
超高速开关
工作电压
: -2.5V
高密度安装
: SOP- 8
■引脚CON组fi guration
S1
1
G1
2
S2
3
G2
4
SOP-8
( TOP VIEW )
8
7
6
5
■引脚分配
针
数
1
2
3
4
5~6
7~8
针
名字
S1
G1
S2
G2
D2
D1
功能
来源
门
来源
门
漏
漏
D1
D1
D2
D2
■等效电路
1
2
3
4
P沟道MOS场效应管
( 2装置内置)
.Absolute最大额定值
Ta=25
O
C
参数
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
反向漏电流
连续通道
功耗(注)
通道温度
储存温度
总胆固醇
TSTG
150
- 55 ~ 150
O
11
单位
V
V
A
A
A
W
C
C
8
7
6
5
符号
VDSS
VGSS
Id
IDP
IDR
Pd
评级
- 20
+1 2
- 4.5
- 18
- 4.5
2
O
(注释) :当在玻璃环氧印刷电路板实施
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