XP161A11A1PR
功率MOSFET
ETR1122_001
■一般
描述
该XP161A11A1PR是一个N沟道功率MOSFET具有低通态电阻和超高速开关特性。
因为高速切换是可能的,该IC可以有效地设置,从而节省能源。
栅极保护二极管内置防止静电损坏。
小型SOT- 89封装,使高密度安装成为可能。
■应用
笔记本¡
个
(蜂窝
和手提电话
●板载
电源
●锂离子
电池系统
■特点
低通态电阻
: RDS(ON) = 0.065Ω @ VGS = 10V
: RDS(ON) = 0.105Ω @ VGS = 4.5V
超高速开关
栅极保护二极管内置
驱动电压
: 4.5V
N沟道功率MOSFET
DMOS结构
小型封装
: SOT- 89
针
CON组fi guration
针
转让
引脚数
1
2
3
引脚名称
G
D
S
功能
门
漏
来源
●等效
电路
“绝对
最大额定值
TA = 25°
参数
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
漏电流
漏电流
(DC)的
(脉冲)
符号额定值单位
VDSS
VGSS
Id
IDP
IDR
Pd
总胆固醇
TSTG
30
±20
4
16
4
2
150
-55~150
V
V
A
A
A
W
℃
℃
反向漏电流
信道功率耗散*
通道温度
存储温度范围
*当在陶瓷PCB实现
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