1SS294
东芝二极管
硅外延肖特基型
1SS294
低电压高开关速度
低正向电压
低的反向近况
小型封装
: V
F (3)
=
0.54V （典型值）。
: I
R
=
5μA （最大值）
： SC- 59
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
最大（峰值）反向电压
反向电压
最大（峰值）正向电流
平均正向电流
功耗
结温
符号
V
RM
V
R
I
FM
I
O
P
T
j
等级
45
40
300
100
150
125
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
JEDEC
TO−236MOD
EIAJ
SC−59
存储温度范围
T
英镑
−55~125
°C
东芝
1−3G1B
重量： 0.012克
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
温度/电流/电压和温度的显著变化等）可能会导致本产品
减少在可靠性显著即使操作条件（即操作
温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
符号
V
F (1)
正向电压
V
F (2)
V
F (3)
反向电流
总电容
I
R
C
T
TEST
电路
测试条件
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 40V
V
R
= 0中，f = 1MHz的
民
典型值。
0.28
0.36
0.54
―
18
最大
单位
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
0.60
5
25
μA
pF
V
记号
1
2007-11-01
TOSHIBA [ TOSHIBA SEMICONDUCTOR ]
