1SS352
东芝二极管
硅外延平面型
1SS352
超高速开关应用
小型封装
低正向电压
小总电容
: V
F (3)
= 0.98V （典型值）。
: C
T
=在0.5pF （典型值）。
快速反向恢复时间：吨
rr
= 1.6ns （典型值）。
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
最大（峰值）反向电压
反向电压
最大（峰值）正向电流
平均正向电流
浪涌电流（ 10毫秒）
功耗
结温
储存温度
符号
V
RM
V
R
I
FM
I
O
I
FSM
P
T
j
T
英镑
等级
85
80
200
100
1
200 (*)
125
−55~125
单位
V
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
JEDEC
EIAJ
―
―
1-1E1A
东芝
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
重量： 0.004克
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使操作条件（即工作温度/电流/电压等）是
内的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
（*）装上20的玻璃环氧电路板
×
20mm,
4盘尺寸
×
4mm.
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
符号
V
F (1)
正向电压
V
F (2)
V
F (3)
反向电流
总电容
反向恢复时间
I
R (1)
I
R (2)
C
T
t
rr
TEST
电路
―
―
―
―
―
―
―
测试条件
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 30V
V
R
= 80V
V
R
= 0中，f = 1MH
z
I
F
= 10毫安，图1
民
―
―
―
―
―
―
―
典型值。
0.62
0.75
0.98
―
―
0.5
1.6
最大
―
―
1.20
0.1
0.5
3.0
4.0
V
单位
μA
pF
ns
1
2007-11-01
TOSHIBA [ TOSHIBA SEMICONDUCTOR ]
