1SS370
东芝二极管
硅外延平面型
1SS370
高压，高速开关应用
低正向电压
小总电容
小型封装
: V
F (2)
= 0.9V （典型值）。
: C
T
=取1.5pF （典型值）。
： SC- 70
单位：mm
快速反向恢复时间：吨
rr
= 60ns的（典型值）。
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
最大（峰值）反向电压
反向电压
最大（峰值）正向电流
平均正向电流
浪涌电流（ 10毫秒）
功耗
结温
存储温度范围
符号
V
RM
V
R
I
FM
I
O
I
FSM
P
T
j
T
英镑
等级
250
200
300
100
2
100
125
−55∼125
单位
V
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
JEDEC
EIAJ
东芝
重量： 0.006克
―
SC−70
1-2P1D
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
正向电压
符号
V
F (1)
V
F (2)
反向电流
总电容
反向恢复时间
I
R (1)
I
R (2)
C
T
t
rr
TEST
电路
―
―
―
―
―
―
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 50V
V
R
= 200V
V
R
= 0中，f = 1MH
z
I
F
= 10毫安，图1
民
―
―
―
―
―
―
典型值。
0.72
0.90
―
―
1.5
10
最大
1.0
1.2
0.1
1.0
3.0
60
V
单位
μ
A
pF
ns
1
2007-11-01
TOSHIBA [ TOSHIBA SEMICONDUCTOR ]
