2SA1015(L)
东芝晶体管PNP硅外延型（厘过程）
2SA1015(L)
音频放大器应用
低噪声放大器的应用
·
·
·
·
高电压和高电流： V
首席执行官
=
−50
V（分钟）
I
C
=
−150
毫安（最大）
优秀ħ
FE
线性：H
FE
（ 2 ）= 80 （典型值），在V
CE
=
−6
V，I
C
=
−150
mA
: h
FE
(I
C
=
−0.1
毫安） /小时
FE
(I
C
=
−2
毫安） = 0.95 （典型值）。
低噪音： NF = 0.2分贝（典型值） （ F =
1
千赫）
补充2SC1815 （L ）
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
-50
-50
-5
-150
-50
400
125
-55~125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
TO-92
SC-43
2-5F1B
重量：0.33克（典型值）
电气特性
（大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE （1）
直流电流增益
（注）
h
FE （2）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
基地固有阻力
V
CE （SAT）
V
BE （SAT）
f
T
C
ob
r
bb’
NF （1）
噪声系数
NF（ 2）
测试条件
V
CB
= -50
V，I
E
=
0
V
EB
= -5
V，I
C
=
0
V
CE
= -6
V，I
C
= -2
mA
V
CE
= -6
V，I
C
= -150
mA
I
C
= -100
妈，我
B
= -10
mA
I
C
= -100
妈，我
B
= -10
mA
V
CE
= -10
V，I
C
= -1
mA
V
CB
= -10
V，I
E
=
0
f
=
1兆赫
V
CB
= -10
V，I
E
=
1毫安
f
=
30兆赫
V
CE
= -6
V，I
C
= -0.1
mA
f
=
100赫兹，R
G
=
10千瓦
V
CE
= -6
V，I
C
= -0.1
mA
f
=
1千赫，R
G
=
10千瓦
民
¾
¾
70
25
¾
¾
80
¾
¾
¾
¾
典型值。
¾
¾
¾
80
-0.1
¾
¾
4
30
0.5
0.2
最大
-0.1
-0.1
400
¾
-0.3
-1.1
¾
7
¾
6
dB
3
V
V
兆赫
pF
W
单位
mA
mA
注：H
FE （1）
分类
○： 70 〜 140 ， Y： 120 〜 240 ， GR ： 200 〜 400
1
2003-03-27
TOSHIBA [ TOSHIBA SEMICONDUCTOR ]
