2SA1020 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SA1020
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内容描述：	PNP通用晶体管 [PNP General Purpose Transistors]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 161 K
品牌：	TOSHIBA [ TOSHIBA SEMICONDUCTOR ]

2SA1020

东芝晶体管PNP硅外延型（厘过程）

2SA1020

功率放大器的应用

电源开关应用

•

低集电极饱和电压： V

CE （SAT）

−0.5

V（最大值）（我

−1

高速开关：吨

英镑

= 1.0

μs

（典型值）。

补充2SC2655

单位：mm

绝对最大额定值

（大

25°C)

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

−50

−5

−2

900

150

−55

150

单位

°C

JEDEC

TO-92MOD

注：在重负载下连续使用的（如高的应用

JEITA

―

温度/电流/电压和在显著变化

东芝

2-5J1A

温度等）可能会导致此产品在减少

可靠性显著即使工作条件下（即

重量：0.58克（典型值）。

工作温度/电流/电压等）内的

绝对最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告

和估计故障率等）。

2006-11-09

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