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型号: 2SA1162
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内容描述: 塑料封装晶体管 [Plastic-Encapsulated Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小: 3 页 / 104 K
品牌: TOSHIBA [ TOSHIBA SEMICONDUCTOR ]
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2SA1162
东芝晶体管PNP硅外延型(厘过程)
2SA1162
音频通用放大器应用
·
·
·
·
·
·
高电压和高电流: V
首席执行官
=
−50
V,I
C
=
−150
毫安(最大)
优秀ħ
FE
线性:H
FE
(I
C
=
−0.1
毫安) /小时
FE
(I
C
=
−2
毫安)
= 0.95 (典型值)。
高ħ
FE :
h
FE
= 70~400
低噪音: NF =
1dB
( TYP。) ,
10dB
(最大)
补充2SC2712
小型封装
单位:mm
最大额定值
(大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
-50
-50
-5
-150
-30
150
125
-55~125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
TO-236MOD
SC-59
2-3F1A
重0.012克(典型值)
电气特性
(大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
(注)
V
CE (SAT)
f
T
C
ob
NF
测试条件
V
CB
= -50
V,I
E
=
0
V
EB
= -5
V,I
C
=
0
V
CE
= -6
V,I
C
= -2
mA
I
C
= -100
妈,我
B
= -10
mA
V
CE
= -10
V,I
C
= -1
mA
V
CB
= -10
V,I
E
=
0, f
=
1兆赫
V
CE
= -6
V,I
C
= -0.1
毫安,女
=
1千赫,
Rg
=
10 KW ,
¾
¾
70
¾
80
¾
¾
典型值。
¾
¾
¾
-0.1
¾
4
1.0
最大
-0.1
-0.1
400
-0.3
¾
7
10
V
兆赫
pF
dB
单位
mA
mA
注:H
FE
分类
O( O) : 70 〜 140 , Y( Y) : 120 〜 240 , GR ( G) : 200 〜 400 , (
)标记符号
记号
1
2003-03-27