2SB1375 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB1375
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内容描述：	PNP硅三重扩散型 [Silicon PNP Triple Diffused Type]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 143 K
品牌：	TOSHIBA [ TOSHIBA SEMICONDUCTOR ]

2SB1375

东芝三极管

PNP硅三重扩散型

2SB1375

音频功率放大器

单位：mm

•

低饱和电压： V

CE （SAT）

−1.5

V（最大值）

−2

A，I

−0.2

高功率耗散：P

= 25瓦（TC = 25 ° C）

收藏家金属（散热片）上覆盖着树脂模

补充2SD2012

绝对最大额定值

（ TC = 25 ° C）

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

集电极电源

耗散

结温

存储温度范围

TA = 25°C

TC = 25°C

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

−60

−7

−3

−0.5

2.0

150

−55

150

单位

JEDEC

°C

―

2-10R1A

JEITA

东芝

重量：2.7克（典型值）。

注：在重负载下连续使用的（如高的应用

温度/电流/电压和温度的显著变化等）可能会导致本产品

减少在可靠性显著即使操作条件（即操作

温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告

和估计故障率等）。

2006-11-21

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