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    2SD2012 参数 Datasheet PDF下载

    2SD2012图片预览
    型号： 2SD2012
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅功率晶体管 [NPN SILICON POWER TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管功率双极晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 131 K
    品牌： TOSHIBA [ TOSHIBA SEMICONDUCTOR ]
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    2SD2012
    东芝三极管
    硅NPN三重DIFFUSED TYPE
    2SD2012
    音频功放应用
    单位：mm
    •
    •
    •
    高直流电流增益：H
    FE （1）
    = 100 （分钟）
    低饱和电压： V
    CE （SAT）
    = 1.0 V（最大值）
    高功率耗散：P
    C
    = 25瓦（TC = 25 ° C）
    绝对最大额定值
    （ TC = 25 ° C）
    特征
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    基极电流
    集电极电源
    耗散
    结温
    存储温度范围
    TA = 25°C
    TC = 25°C
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    B
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    60
    60
    7
    3
    0.5
    2.0
    25
    150
    −55
    150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    JEDEC
    °C
    °C
    ―
    ―
    2-10R1A
    JEITA
    东芝
    注：在重负载下连续使用的（如高的应用
    重量：2.7克（典型值）。
    温度/电流/电压和在显著变化
    温度等）可能会导致此产品在减少
    可靠性显著即使操作条件（即工作温度/电流/电压等）是
    内的绝对最大额定值。
    请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
    （ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告
    和估计故障率等）。
    1
    2006-11-21

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