2SK2009 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK2009
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内容描述：	N沟道MOS型（高速开关，模拟开关应用） [N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH APPLICATIONS)]
分类和应用：	晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管
文件页数/大小：	5 页 / 523 K
品牌：	TOSHIBA [ TOSHIBA SEMICONDUCTOR ]

2SK2009

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型

2SK2009

高速开关应用

模拟开关应用

•

高输入阻抗。

低栅极阈值电压： V

= 0.5~1.5 V

出色的开关时间：吨

= 0.06

μs

（典型值）。

关闭

= 0.12

μs

（典型值）。

低漏源导通电阻，R

DS （ ON）

= 1.2

Ω

（典型值）。

小包装。

增强型

单位：mm

记号

等效电路

绝对最大额定值

（大

25°C)

特征

漏源电压

栅源电压

直流漏电流

漏极功耗

通道温度

存储温度范围

符号

GSS

英镑

等级

±20

200

150

−55~150

单位

°C

JEDEC

JEITA

东芝

TO-236MOD

SC-59

2-3F1F

重0.012克（典型值）

注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

注：此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。

2007-11-01

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