2SK2607
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSIII ）
2SK2607
斩波稳压器， DC-DC转换器和启动子驱动
应用
低漏源导通电阻
高正向转移导纳
低漏电流
增强型
: R
DS （ ON）
= 1.0
Ω
（典型值）。
: |Y
fs
|
=
7.0 S（典型值）。
单位：mm
: I
DSS
= 100
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 640 V)
: V
th
= 2.0〜 4.0 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
800
800
±30
9
27
150
778
9
15
150
−55
150
单位
V
V
V
A
W
1.门
2.漏极（散热片）
3.源
脉冲（注1 ）
漏极功耗（ TC = 25 ° C）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
mJ
A
mJ
°C
°C
―
SC-65
2-16C1B
JEITA
东芝
重4.6克（典型值）
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
0.883
50
单位
C / W
C / W
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
= 90 V，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 17.4 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AR
= 9 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。
请谨慎操作。
1
2009-09-29
TOSHIBA [ TOSHIBA SEMICONDUCTOR ]
