2SK3078
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
2SK3078
900 MHz频段放大器应用（ GSM ）
单位：mm
输出功率
收益
漏EF网络效率
: P
O
= 27.0 dBmW （最小值）
: G
P
为12.5分贝（最低）
:
η
D
= 46 ％ （典型值）。
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
功耗
通道温度
存储温度范围
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D*
T
ch
T
英镑
等级
10
5
0.5
3.0
150
−45~150
单位
V
V
A
W
°C
°C
*:
TC = 25 ℃，当安装在1.6毫米的玻璃环氧树脂印刷电路板
JEDEC
EIAJ
东芝
—
SC−62
2−5K1D
记号
000707EAA1
•
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，在半导体器件一般
可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理应力。它的责任
买方，利用东芝产品时，要符合安全的制造安全的设计对整个系统的标准，并
为避免出现此类东芝产品的故障或失效可能导致人的生命，人身伤害或损失
财产损失。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围用作规定
最近东芝的产品规格。另外，请记住载于“处理的注意事项和条件
导半导体设备“或”东芝半导体可靠性手册“等。
•
本文档中列出的东芝产品在一般电子应用（计算机，个人打算使用
设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器等） 。这些东芝的产品
既不打算也不为保证使用中的设备要求非常高的品质和/或可靠性或故障，或
这些故障可能会导致人的生命或身体伤害（ “意外用法” ）的损失。意想不到的用途包括原子能
控制仪表，飞机或太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制
仪器，医疗仪器，各类安全装置等。东芝产品的非预期使用本文件所列
应在客户自己的风险进行。
•
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使用。无许可证下的任何知识产权或东芝或其他权利授予暗示或其他方式
其他人。
•
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2001-02-02
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TOSHIBA [ TOSHIBA SEMICONDUCTOR ]
