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RN1102MFVTPL3 参数 Datasheet PDF下载

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型号: RN1102MFVTPL3
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内容描述: 开关,逆变电路,接口电路及驱动电路的应用 [Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications]
分类和应用: 开关驱动
文件页数/大小: 8 页 / 1022 K
品牌: TOSHIBA [ TOSHIBA SEMICONDUCTOR ]
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RN1101MFV∼RN1106MFV
东芝三极管
硅NPN外延型(厘过程)
RN1101MFV,RN1102MFV,RN1103MFV
RN1104MFV,RN1105MFV,RN1106MFV
开关,逆变电路,接口电路和
驱动器电路应用
单位:mm
超小型封装,适用于非常高密度安装
掺入一个偏置电阻到晶体管减少部件的数量,
因此启用了更加紧凑的设备制造和
降低装配成本。
0.8 ± 0.05
0.22 ± 0.05
1.2 ± 0.05
0.32 ± 0.05
0.80 ± 0.05
广泛的电阻值可以在各种电路中使用。
1.2 ± 0.05
1
互补的RN2101MFV到RN2106MFV
0.4
0.4
1
3
2
0.13 ± 0.05
等效电路和偏置电阻值
型号
RN1101MFV
RN1102MFV
RN1103MFV
RN1104MFV
RN1105MFV
RN1106MFV
R1 ( kΩ的)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2值(kΩ )
4.7
10
22
47
47
47
0.5 ± 0.05
1.基地
VESM
JEDEC
JEITA
东芝
2.辐射源
3.收集
2-1L1A
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN1101MFV到1106MFV
RN1101MFV到1106MFV
RN1101MFV到1104MFV
RN1105MFV , 1106MFV
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
(注1 )
T
j
T
英镑
等级
50
50
10
5
100
150
150
−55
150
重量: 1.5毫克(典型值)。
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和显著的应用
温度变化等),可能会导致该产品的可靠性降低显著即使
工作条件(即工作温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验报告
和估计故障率等)。
注1 :安装在FR4板
(25.4
mm
×
25.4 mm
×
1.6 mm)
盘尺寸(参考)
1.15
0.5
单位mm
0.45
0.4
0.45
0.4
0.4
1
2010-03-07