RN1961FS~RN1966FS
东芝三极管
NPN硅外延式（ PCT程序） （偏置电阻内置晶体管）
RN1961FS,RN1962FS,RN1963FS
RN1964FS,RN1965FS,RN1966FS
开关，逆变电路，接口电路和
驱动器电路应用
1.0±0.05
0.1±0.05
0.8±0.05
0.1±0.05
0.15±0.05
单位：mm
•
•
两个设备合并成细间距小型模具（ 6针）
0.35 0.35
1.0±0.05
结合偏置电阻变成晶体管减少了部件数量。
减少元件数量实现了前所未有的制造
紧凑型设备，节省组装成本。
0.7±0.05
封装。
1
2
3
6
5
4
0.1±0.05
等效电路和偏置电阻值
C
型号
RN1961FS
RN1962FS
R2
RN1963FS
RN1964FS
E
RN1965FS
RN1966FS
R1 （ kΩ的）
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2值（kΩ ）
4.7
10
22
47
47
47
0.48
-0.04
+0.02
•
补充RN2961FS 〜 RN2966FS
B
R1
fS6
JEDEC
JEITA
1.EMIITTER1
2.EMITTER2
3.BASE2
4.COLLECTOR2
5.BASE1
6.COLLECTOR1
(E1)
(E2)
(B2)
(C2)
(B1)
(C1)
―
―
2-1F1C
东芝
重量：0.001克（典型值）。
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
（ Q1 ， Q2常见）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
RN1961FS~
1966FS
RN1961FS~
1964FS
发射极 - 基极电压
RN1965FS,
1966FS
符号
V
CBO
V
首席执行官
等级
20
20
10
V
EBO
5
I
C
P
C
（注1 ）
T
j
T
英镑
50
50
150
−55~150
mA
mW
°C
°C
V
1
2
3
单位
V
V
Q1
Q2
等效电路
（ TOP VIEW ）
6
5
4
集电极电流
集电极耗散功率RN1961FS 〜
RN1966FS
结温
存储温度范围
注意：
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1 ：总的评价
1
2007-11-01
TOSHIBA [ TOSHIBA SEMICONDUCTOR ]
