TA2092N
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
电源电压
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
CC
P
D
（注1 ）
T
OPR
T
英镑
等级
14
（2）（注2）
−30~85
−55~150
单位
V
W
°C
°C
注1 ： 60 ％，比安装在50毫米× 50毫米× 1.6毫米大小的电路板铜区。
注2 ：降额以上的Ta = 25℃ ，在62.5毫瓦/°C的比例。
电气特性
特征
工作电压
静态电流
输入失调电流
V
RI
终端失调电流
（除非另有规定，V
CC
= 5 V ，R
L
= 5
Ω,
R
g
= 620
Ω,
V
RI
= 2.1 V ， F =
1
千赫， TA = 25 ° C）
符号
V
CC
I
CCQ
I
IN
I
10
V
Ø OS1
输出失调电压
V
Ø OS2
V
Ø OS3
参考输出电压
最大输出电压
电压增益
频率响应
总谐波失真
压摆率
相声
纹波抑制比
热关机温度
V
RI
〜 GND短路保护电压
V
OUT
V
OM1
V
OM2
G
V
f
c
THD
S.R.
C.T.
R.R.
T
TSD
V
RI关闭
TEST
电路
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
V
CC
= 5 V
V
CC
= 6 V
V
in
= 100毫伏有效值
V
in
= 100毫伏有效值
V
in
= 100毫伏有效值
V
OUT
= 2 V
p-p
V
OUT
= 1 Vrms的
f
愿（死者）安息
= 100赫兹，V
愿（死者）安息
= 100毫伏有效值
芯片的温度
―
测试条件
―
V
in
= 0, R
L
=打开
V
IN
= 2.1 V
V
RI
= 2.1 V
V
CC
= 5 V ，R
g
= 0
Ω
V
CC
= 8 V ，R
g
= 0
Ω
V
CC
= 12 V ，R
g
= 0
Ω
―
民
4.0
20
―
―
−30
−50
−100
―
4.0
5.0
14.5
―
―
―
―
―
―
1.4
典型值。
―
35
250
35
―
―
―
2.1
5.0
6.0
15.5
100
−50
1.0
−60
−60
150
1.6
最大
10.0
60
800
120
30
50
100
―
―
―
16.5
―
―
―
―
―
―
1.8
V
V
p-p
dB
千赫
dB
V / μs的
dB
dB
°C
V
mV
单位
V
mA
nA
µA
3
2001-12-19
TOSHIBA [ TOSHIBA SEMICONDUCTOR ]
