TLP280-4 参数 Datasheet PDF下载

型号：	TLP280-4
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内容描述：	砷化镓红外发光二极管和光电晶体管 [GaAs Ired & Photo−Transistor]
分类和应用：	晶体光电二极管晶体管光电晶体管输出元件输入元件
文件页数/大小：	9 页 / 221 K
品牌：	TOSHIBA [ TOSHIBA SEMICONDUCTOR ]

TLP280,TLP280−4

个人电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

LED

正向电压

电容

集电极 - 发射极

击穿电压

发射极 - 集电极

击穿电压

探测器

符号

（ BR ） CEO

（ BR ） ECO

测试条件

= -10毫安

V = 0中，f = 1 MHz的

- 0.5毫安

- 0.1毫安

= 48 V,

环境光下面

(100 1x)

= 48 V ， TA = 85°C

环境光下面

(100 1x)

V = 0中，f = 1 MHz的

民

1.0

―

典型值

1.15

―

0.01

(2)

(4)

最大

1.3

—

0.1

(10)

(50)

―

单位

μA

集电极暗电流

（注1 ）

电容

（集电极到发射极）

首席执行官

（注1）：施工因为，漏电流可能增加环境光。请使用光电耦合器

用更少的环境光。

耦合电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

电流传输比

符号

/ I

测试条件

= ±5毫安， V

= 5 V

GB排名

IF = ±1毫安， V

= 0.4 V

GB排名

= 2.4毫安，我

= -8毫安

集电极 - 发射极

饱和电压

断态集电极电流

CTR对称

CE （SAT）

= 0.2毫安，我

= -1毫安

GB排名

= ± 0.7 V, V

= 48 V

−5

毫安） /我

= 5 mA）的

（注2 ）

民

100

—

0.33

典型值。

—

0.2

—

最大

600

—

0.4

—

0.4

μA

—

单位

饱和CTR

/ I

F（坐）

C（ OFF）

C（比）

（注2 ）：

5V)

I (I

I，V

集成电路（比率）

C2 ˚F F2 CE

IC1(IF

IF1 ， VCE

5V)

2007-10-01

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