TPC8002 参数 Datasheet PDF下载

型号：	TPC8002
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内容描述：	东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ MOSVI ） [TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (MOSVI)]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小：	7 页 / 516 K
品牌：	TOSHIBA [ TOSHIBA SEMICONDUCTOR ]

TPC8002

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSVI ）

TPC8002

锂离子电池应用

便携式设备的应用

笔记本电脑应用

占地面积小，因小而薄的封装

低漏源导通电阻

: R

DS （ ON）

11.5

毫欧（典型值）。

高正向转移导纳： | Y

| =

S（ TYP 。）

低漏电流：I

DSS

μA （最大值）（V

= 30 V)

增强型： V

= 0.8~2.0 V (V

V，I

毫安）

单位：mm

最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

= 20 kΩ)

栅源电压

漏电流

脉冲

（注1 ）

（T = 10秒）

（注2A ）

（T = 10秒）

（注2B ）

符号

DSS

DGR

GSS

英镑

等级

±20

2.4

1.0

157

0.24

150

−55

150

单位

°C

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-6J1B

漏极功耗

重0.080克（典型值）。

单脉冲雪崩能量

（注3）

雪崩电流

重复性雪崩能量

（注2A ）（注4 ）

通道温度

存储温度范围

电路CON组fi guration

注：对于（注1 ）（注2 ）（注3）和（注4 ），请参阅

下页。

此晶体管是静电敏感器件。请处理好与

慎用。

2002-02-06

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