TPC8107 参数 Datasheet PDF下载

型号：	TPC8107
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内容描述：	东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ U- MOSIII ） [TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII)]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	7 页 / 220 K
品牌：	TOSHIBA [ TOSHIBA SEMICONDUCTOR ]

TPC8107

东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ U- MOSIII ）

TPC8107

锂离子电池应用

笔记本电脑应用

便携式设备的应用

占地面积小，因小而薄的封装

低漏源导通电阻，R

DS （ ON）

= 5.5毫欧（典型值）。

高正向转移导纳： | Y

| = 31 S（典型值）。

低漏电流：I

DSS

−10

μA （最大值）（V

−30

增强型： V

−0.8

−2.0

V (V

−10

V，I

−1

毫安）

单位：mm

最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

20千瓦）

栅源电压

漏电流

脉冲

（注1 ）

10 s)

（注2A ）

漏极功耗

10 s)

（注2B ）

单脉冲雪崩能量

（注3）

雪崩电流

重复性雪崩能量

（注2A ）（注4 ）

通道温度

存储温度范围

符号

DSS

DGR

GSS

英镑

等级

-30

±20

-13

-52

1.9

单位

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-6J1B

漏极功耗

1.0

重0.080克（典型值）。

219

-13

0.19

150

-55

150

°C

电路CON组fi guration

注：对于（注1 ）（注2 ）（注3）和（注4 ），请参阅

下页。

此晶体管是静电敏感器件。请处理好与

慎用。

2003-02-20

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