TPC8203 参数 Datasheet PDF下载

型号：	TPC8203
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内容描述：	东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ U- MOSII ） [TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U−MOSII)]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	7 页 / 420 K
品牌：	TOSHIBA [ TOSHIBA SEMICONDUCTOR ]

TPC8203

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ U- MOSII ）

TPC8203

锂离子电池应用

便携式设备的应用

笔记本电脑

占地面积小，因小而薄的封装

低漏源导通电阻

低漏电流

增强型

: R

DS （ ON）

毫欧（典型值）。

高正向转移导纳： | Y

| = 8 S（典型值）。

: I

DSS

μA （最大值）（V

= 30 V)

: V

= 0.8~2.5 V (V

V，I

毫安）

单位：mm

最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

漏极 - 栅极电压（R

= 20 kΩ)

栅源电压

漏电流

脉冲

（注1 ）

符号

DSS

DGR

GSS

D (1)

D (2)

D (1)

D 2)

英镑

等级

±20

1.5

1.0

0.75

0.45

46.8

0.10

150

−55∼150

℃

单位

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-6J1E

单设备

耗电

操作（注3A ）

耗散

单devece值

（T = 10秒）

（注2A ）的双重操作

（注3B ）

单设备

耗电

操作（注3A ）

耗散

单devece值

（T = 10秒）

（注2B ）的双重操作

（注3B ）

单脉冲雪崩能量

（注4 ）

雪崩电流

重复性雪崩能量

（注2A ， 3B注，注5 ）

通道温度

存储温度范围

重0.080克（典型值）。

电路CON组fi guration

注意：对于（注1），（注2a）中，（注2b）中，（注3a）中，（注3b）中，（注4）

和（注5），请参见下页。

此晶体管是静电敏感器件。请处理好与

慎用。

2002-05-17

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