TSA7887
电气特性
VDD = + 2.7V至+ 5.25V ; VREF = 2.5V外部/内部参考，除非另有说明; ˚F
SCLK
= 2 MHz的;
T
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有说明。
参数
动态性能
信号噪声+失真比（SNR）的
2
总谐波失真（ THD ）
峰值谐波或杂散噪声
互调失真（ IMD ）
二阶项
三阶项
通道到通道隔离
全功率带宽
DC精度（任何
频道）
决议
积分非线性
微分非线性
偏移误差
偏移误差匹配
增益误差
增益误差匹配
模拟量输入
输入电压范围
漏电流
输入电容
参考输入/输出
REFIN输入电压范围
输入阻抗
REFOUT输出电压
REFOUT温度系数
逻辑输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
IN
输入电容，C
IN3
逻辑输出
输出高电压，V
OH
输出低电压，V
OL
浮态泄漏电流
浮态输出电容
4
输出编码
转化率
生产时间
跟踪和保持捕获时间
转换时间
A版
1
71
−80
–80
−80
−80
−80
2.5
12
±2
±2
±3
±4
±6
0.5
±2
±1
±6
2
0至VREF
±5
10
2.5/VDD
10
2.45/2.55
±50
2.4
2.1
0.8
±1
10
B版本
1
71
−80
−80
−80
−80
−80
2.5
12
±1
±1
±3
±4
±6
0.5
±2
±1
±6
2
0至VREF
±5
10
2.5/VDD
10
2.45/2.55
±50
2.4
2.1
0.8
±1
10
单位
分贝（典型值）
分贝（典型值）
分贝（典型值）
分贝（典型值）
分贝（典型值）
分贝（典型值）
兆赫（典型值）
位
LSB （最大值）
LSB （最大值）
LSB （最大值）
LSB （最大值）
LSB （典型值）
LSB （最大值）
LSB （典型值）
LSB （最大值）
LSB （典型值）
LSB （最大值）
V
μA（最大值）
PF（典型值）
V（最小/最大）
千欧（典型值）
V（最小/最大）
PPM / ° C（典型值）
V（分钟）
V（分钟）
V（最大值）
μA（最大值）
pF的（最大）
从1.2V功能
如果内部参考禁用阻抗非常高
测试条件/评论
f
IN
= 10 kHz正弦波，女
样品
= 125 kSPS时
f
IN
= 10 kHz正弦波，女
样品
= 125 kSPS时
f
IN
= 10 kHz正弦波，女
样品
= 125 kSPS时
F1 = 9.983千赫， F2 = 10.05千赫，女
样品
= 125 kSPS时
F1 = 9.983千赫， F2 = 10.05千赫，女
样品
= 125 kSPS时
f
IN
= 25千赫
测量下降3dB
保证无失码为11位（ A级）
VDD = 5V ，双通道模式
VDD = 3V ，双通道模式
单通道模式
双通道模式
单通道模式下，外部参考
单通道模式下，内部参考
VDD = 4.75V至5.25V
VDD = 2.7V至3.6V
VDD = 2.7 V至5.25 V
通常情况下10 nA的，V
IN
= 0 V或VDD
V
DD
− 0.5
V
DD
− 0.5
V（分钟）
0.4
0.4
V（最大值）
±1
±1
μA（最大值）
10
10
pF的（最大）
直（自然科学）二进制
I
来源
= 200 μA
V
DD
= 2.7V至5.25V
I
SINK
= 200 μA
16
1.5
14.5
16
1.5
14.5
SCLK周期
SCLK周期
SCLK周期
转换时间采集时间为125 kSPS时，
与2 MHz的时钟
7.25微秒（ 2 MHz时钟）
TSA7887DS r1p0
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RTFDS
TOUCHSTONE [ TOUCHSTONE SEMICONDUCTOR INC ]
