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型号: TC1101
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内容描述: 低噪声和中等功率GaAs场效应管 [Low Noise and Medium Power GaAs FETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 250 K
品牌: TRANSCOM [ TRANSCOM, INC. ]
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TC1101
REV6_20070502
低噪声和中等功率GaAs场效应管
特点
低噪声系数: NF = 0.5 dB(典型) ,在12 GHz的
关联度高增益:嘎= 12 dB的典型,在12 GHz的
高动态范围: 1 dB压缩功率P
-1
= 18.5 dBm的12 GHz的
击穿电压: BV
DGO
9 V
LG = 0.25
µm,
WG = 160
µm
全镀金的高可靠性
VP紧控制范围
高RF输入功率处理能力
100%的直流测试
PHOTO扩建
描述
该TC1101是GaAs假晶高电子迁移率晶体管( PHEMT )芯片,它具有非常低
噪声系数,高增益相关和高动态范围。该装置可在电路中高达30千兆赫和使用
适用于低噪声和中功率放大器的应用,包括一个广泛的商业和
军事应用。所有器件100 %的直流测试,以保证稳定的质量。所有的键合焊盘镀金
对于任一热压或热声波引线接合。
电气规格(T
A
=25
°
C)
符号
NF
G
a
P
1dB
G
L
I
DSS
g
m
V
P
R
th
条件
噪声系数在V
DS
= 2 V,I
DS
= 10毫安,
f
= 12GHz的
在V相关的增益
DS
= 2 V,I
DS
= 10毫安,
f
= 12GHz的
输出功率1分贝增益压缩点,
f
= 12GHz的V
DS
= 6 V,I
DS
= 25毫安
线性功率增益,
f
= 12GHz的V
DS
= 6 V,I
DS
= 25毫安
饱和漏源电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
跨在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V,I
D
= 0.32毫安
9
热阻
10
17.5
14
典型值
0.5
12
18.5
15
48
55
-1.0*
12
225
最大
0.7
单位
dB
dB
DBM
dB
mA
mS
° C / W
BV
DGO
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
= 0.08毫安
注意:
*对于夹断电压的严格控制。 TC1101的被分为3组:
(1)
TC1101P0710
: VP = -0.7V至-1.0V ( 2 )
TC1101P0811
: VP = -0.8V至-1.1V ( 3 )
TC1101P0912
: VP = -0.9V至-1.2V
此外,客户可以指定他们的要求。
绝对最大额定值(T
A
=25
°
C)典型噪声参数(T
A
=25
°
C)
V
DS
= 2 V,I
DS
= 10毫安
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
GS
P
in
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
栅电流
RF输入功率, CW
连续耗散
通道温度
储存温度
等级
7.0 V
-3.0 V
I
DSS
160
µA
18 dBm的
250毫瓦
175
°C
- 65
°C
到+175
°C
频率
(千兆赫)
2
4
6
8
10
12
14
16
18
NF
选择
( dB)的
0.38
0.40
0.42
0.45
0.50
0.55
0.64
0.78
0.95
G
A
( dB)的
19.8
17.5
15.6
13.9
13.1
12.4
11.7
11.1
10.6
Γ
选择
MAG
0.99
4
0.90
9
0.82
18
0.76
29
0.69
43
0.63
55
0.56
65
0.45
76
0.34
90
Rn/50
0.48
0.40
0.37
0.34
0.32
0.30
0.28
0.26
0.24
TRANSCOM ,INC。
90 Dasoong 7
th
道为基础的科学台南工业园,惺她享,台南县,台湾, ROC
网址:
www.transcominc.com.tw
电话: 886-6-5050086
传真: 886-6-5051602
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