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TC1201V 参数 Datasheet PDF下载

TC1201V图片预览
型号: TC1201V
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内容描述: 低噪声和中等功率GaAs场效应管 [Low Noise and Medium Power GaAs FETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 122 K
品牌: TRANSCOM [ TRANSCOM, INC. ]
 浏览型号TC1201V的Datasheet PDF文件第2页  
TC1201V
REV5_20070502
低噪声和中等功率GaAs场效应管
特点
!
通孔为源极接地
!
低噪声系数: NF = 0.5 dB(典型) ,在12 GHz的
!
关联度高增益:嘎= 13 dB的典型,在12 GHz的
!
高动态范围: 1 dB压缩功率P
-1
= 21.5 dBm的6 V,
40毫安和12 GHz的
!
击穿电压: BV
DGO
9 V
!
LG = 0.25
µm,
WG = 300
µm
!
全镀金的高可靠性
!
VP紧控制范围
!
高RF输入功率处理能力
!
100%的直流测试
PHOTO扩建
描述
该TC1201V相同TC1201通过减小接地电感源中的孔所期望的。该
设备处理通过通孔为高增益的应用程序。它可用于在电路中高达30千兆赫和合适的
对于低噪声和中功率放大器的应用,包括广泛的商业和军事
应用程序。所有器件100 %的直流测试,以保证稳定的质量。所有的键合焊盘镀金的任
热压或热声波引线接合。
电气规格(T
A
=25
°
C)
符号
NF
G
a
P
1dB
G
L
I
DSS
g
m
V
P
BV
DGO
R
th
条件
噪声系数在V
DS
= 4 V,I
DS
= 25毫安,
f
= 12GHz的
在V相关的增益
DS
= 4 V,I
DS
= 25毫安,
f
= 12GHz的
输出功率1分贝增益压缩点,
f
= 12GHz的V
DS
= 6 V,I
DS
= 40毫安
线性功率增益,
f
= 12GHz的V
DS
= 6 V,I
DS
= 40毫安
饱和漏源电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
跨在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V,I
D
- 0.6毫安
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
= 0.15毫安
热阻
9
11
20.5
11
典型值
0.5
13
21.5
12
90
100
-1.0*
12
96
最大
0.7
单位
dB
dB
DBM
dB
mA
mS
° C / W
注意:
*对于夹断电压的严格控制。 TC1201V的被分为3组:
(1)
TC1201VP0710
: VP = -0.7V至-1.0V ( 2 ) TC1201VP0811 : VP = -0.8V至-1.1V
( 3 ) TC1201VP0912 : VP = -0.9V至-1.2V
此外,客户可以指定他们的要求。
TRANSCOM ,INC。
90 Dasoong 7
th
道为基础的科学台南工业园,惺她享,台南县,台湾, ROC
网址:
www.transcominc.com.tw
电话: 886-6-5050086
传真: 886-6-5051602
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