TC1201
REV5_20070502
低噪声和中等功率GaAs场效应管
特点
低噪声系数： NF = 0.5 dB（典型） ，在12 GHz的
关联度高增益：嘎= 12 dB的典型，在12 GHz的
高动态范围： 1 dB压缩功率P
-1
= 21.5 dBm的12 GHz的
击穿电压： BV
DGO
≥
9 V
LG = 0.25
µm,
WG = 300
µm
全镀金的高可靠性
VP紧控制范围
高RF输入功率处理能力
100％的直流测试
PHOTO扩建
描述
该TC1201是GaAs假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ）芯片，它具有非常低
噪声系数，高增益相关和高动态范围。该装置可在电路中高达30千兆赫和使用
适用于低噪声和中功率放大器的应用，包括一个广泛的商业和
军事应用。所有器件100 ％的直流测试，以保证稳定的质量。所有的键合焊盘镀金
对于任一热压或热声波引线接合。
电气规格（T
A
=25
°
C)
符号
NF
G
a
P
1dB
G
L
I
DSS
g
m
V
P
BV
DGO
R
th
条件
噪声系数在V
DS
= 4 V，I
DS
= 25毫安
,
f
= 12GHz的
= 12GHz的
= 12GHz的V
DS
= 6 V，I
DS
= 40毫安
10
20.5
11
民
典型值
0.5
12
21.5
12
90
100
-1.0*
9
12
120
最大
0.7
单位
dB
dB
DBM
dB
mA
mS
伏
伏
° C / W
在V相关的增益
DS
= 4 V，I
DS
= 25毫安，
f
线性功率增益，
f
输出功率1分贝增益压缩点，
f
= 12GHz的V
DS
= 6 V，I
DS
= 40毫安
饱和漏源电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
跨在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V，I
D
- 0.6毫安
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
= 0.15毫安
热阻
注意：
*对于夹断电压的严格控制。 TC1201的被分为3组：
(1)
TC1201P0710
： VP = -0.7V至-1.0V （ 2 ）
TC1201P0811
： VP = -0.8V至-1.1V （ 3 ）
TC1201P0912
： VP = -0.9V至-1.2V
此外，客户可以指定他们的要求。
绝对最大额定值（T
A
=25
°
C）典型噪声参数（T
A
=25
°
C)
V
DS
= 4 V，I
DS
= 25毫安
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
GS
P
in
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
栅电流
RF输入功率， CW
连续耗散
通道温度
储存温度
等级
7.0 V
-3.0 V
I
DSS
300
µA
21 dBm的
500毫瓦
175
°C
- 65
°C
到+175
°C
频率
（千兆赫）
2
4
6
8
10
12
14
16
18
NF
选择
（ dB）的
0.33
0.41
0.45
0.49
0.55
0.60
0.73
0.85
0.97
G
A
（ dB）的
20.4
17.0
14.7
13.0
12.0
11.3
10.7
10.3
9.8
Γ
选择
MAG
昂
0.89
9
0.80
20
0.74
37
0.68
57
0.63
77
0.58
95
0.55
112
0.51
129
0.50
149
Rn/50
0.66
0.46
0.36
0.29
0.25
0.20
0.16
0.11
0.09
TRANSCOM ，INC。
90 Dasoong 7
th
道为基础的科学台南工业园，惺她享，台南县，台湾， ROC
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