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TC1304V 参数 Datasheet PDF下载

TC1304V图片预览
型号: TC1304V
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内容描述: 低噪声和中等功率GaAs场效应管 [Low Noise and Medium Power GaAs FETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 71 K
品牌: TRANSCOM [ TRANSCOM, INC. ]
 浏览型号TC1304V的Datasheet PDF文件第2页  
TC1304V
REV5_20070502
低噪声和中等功率GaAs场效应管
特点
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通孔为源极接地
低噪声系数: NF = 0.8分贝一般在12 GHz的
关联度高增益:嘎= 13 dB的典型,在12 GHz的
高动态范围: 1 dB压缩功率P
-1
= 24.5 dBm的12 GHz的
击穿电压: BV
DGO
9 V
LG = 0.25
µm,
WG = 600
µm
全镀金的高可靠性
VP紧控制范围
高RF输入功率处理能力
100%的直流测试
PHOTO扩建
描述
该TC1304V相同TC1304通孔在源焊盘用于降低接地电感期望。
该装置进行处理以通孔为高增益的应用程序。它可以在电路中高达30千兆赫和使用
适用于低噪声和中功率放大器的应用,包括一个广泛的商业和
军事应用。所有器件100 %的直流测试,以保证稳定的质量。所有的键合焊盘镀金
对于任一热压或热声波引线接合。
电气规格(T
A
=25
°
C)
符号
NF
G
a
P
1dB
G
L
I
DSS
g
m
V
P
BV
DGO
R
th
条件
噪声系数在V
DS
= 4 V,I
DS
= 50毫安,
f
= 12GHz的
= 12GHz的
= 12GHz的V
DS
= 6 V,I
DS
= 80毫安
11
23.5
9
典型值
0.8
13
24.5
10
180
200
-1.0*
9
12
48
最大
1.0
单位
dB
dB
DBM
dB
mA
mS
° C / W
在V相关的增益
DS
= 4 V,I
DS
= 50毫安,
f
线性功率增益,
f
输出功率1分贝增益压缩点,
f
= 12GHz的,V
DS
= 6 V,I
DS
= 80毫安
饱和漏源电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
跨在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V,I
D
= 1.2毫安
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
- 0.3毫安
热阻
注意:
*对于夹断电压的严格控制。 TC1304V的被分为3组:
(1)
TC1304VP0710
: VP = -0.7V至-1.0V ( 2 )
TC1304VP0811
: VP = -0.8V至-1.1V
(3)
TC1304VP0912
: VP = -0.9V至-1.2V
此外,客户可以指定他们的要求。
TRANSCOM ,INC。
90 Dasoong 7
th
道为基础的科学台南工业园,惺她享,台南县,台湾, ROC
网址:
www.transcominc.com.tw
电话: 886-6-5050086
传真: 886-6-5051602
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