TC1401N
REV5_20070502
0.5 W高线性和高效率砷化镓功率场效应管
特点
!
0.5W典型功率在12GHz
!
线性功率增益：摹
L
= 9 dB的典型，在12 GHz的
!
高线性度： IP3 = 37 dBm的典型，在12 GHz的
!
高功率附加效率（PAE） ：40％
!
无通孔在源极焊盘
!
非导通孔源的自偏置应用
!
击穿电压： BV
DGO
≥
15 V
!
LG = 0.35
µm,
WG = 1.2毫米
!
VP紧控制范围
!
高RF输入功率处理能力
!
100％的直流测试
PHOTO扩建
描述
的TC1401N是GaAs假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ） ，它具有高的线性度
和高功率附加效率。设备没有通过在源焊盘孔。短栅长
特性使得能够使用在一个电路高达20GHz的设备。所有器件100 ％的直流测试，以确保
稳定的质量。背面镀金与标准的金锡芯片粘结相兼容。
电气规格（T
A
=25
°
C)
符号
P
1dB
G
L
IP3
PAE
I
DSS
g
m
V
P
R
th
线性功率增益，
f
条件
输出功率1分贝增益压缩点，
f
= 12GHz的，V
DS
= 8 V，I
DS
= 120毫安
= 12GHz的，V
DS
= 8 V，I
DS
= 120毫安
= 12GHz的
民
26.5
典型值
27
9
37
40
300
200
-1.7*
15
18
30
最大
单位
DBM
dB
DBM
%
mA
mS
伏
伏
° C / W
的3截点
rd
阶互调，
f
= 12GHz的，V
DS
= 8 V，I
DS
= 120毫安， P
SCL
= 14 dBm的
功率附加效率为1dB压缩功率，
f
饱和漏源电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
跨在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V，I
D
= 2.4毫安
热阻
BV
DGO
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
-0.6毫安
注意：
*对于夹断电压的严格控制。 TC1401N的被分为3组：
(1)
TC1401NP0710
： VP = -1.5V至-1.9V （ 2 ）
TC1401NP0811
： VP = -1.6V至-2.0V
（ 3 ） TC1401NP0912 ： VP = -1.7V至-2.1V
此外，客户可以指定他们的要求。
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th
道为基础的科学台南工业园，惺她享，台南县，台湾， ROC
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