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型号: TC1601
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内容描述: 2W高线性度和高效率砷化镓功率场效应管 [2W High Linearity and High Efficiency GaAs Power FETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 108 K
品牌: TRANSCOM [ TRANSCOM, INC. ]
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TC1601
REV4_20060510
2W高线性度和高效率砷化镓功率场效应管
特点
!
2W典型功率在6 GHz
!
线性功率增益:摹
L
= 12 dB(典型)在6GHz
!
高线性度: IP3 = 43 dBm的典型在6GHz
!
通孔源地
!
适用于高可靠性的应用
!
击穿电压: BV
DGO
15 V
!
LG = 0.35
µm,
WG = 5毫米
PHOTO扩建
!
高功率附加效率: PAE
43 %的A类操作
!
LG = 0.35
µm,
WG = 5毫米
!
VP紧控制范围
!
高RF输入功率处理能力
!
100%的直流测试
描述
该TC1601是一个假晶高电子迁移率晶体管( PHEMT )砷化镓功率场效应管,它具有高
线性和高功率附加效率。该装置具有一个通孔正当性的过程中,处理这
提供了低热阻和低电感。短栅极长度使得在电路中所使用的设备
高达20 GHz 。所有器件100 %的直流测试,以保证稳定的质量。键合焊盘镀金的或者
热压或热声波引线接合。背面镀金与标准兼容的金锡
芯片粘结。典型的应用包括商用和军用高性能功率放大器。
电气规格(T
A
=25
°
C)
符号
P
1dB
G
L
IP3
PAE
I
DSS
g
m
V
P
R
th
线性功率增益,
f
条件
输出功率1分贝增益压缩点,
f
= 6 GHz的V
DS
= 8 V,I
DS
= 500毫安
= 6 GHz的V
DS
= 8 V,I
DS
= 500毫安
= 6 GHz的
32.5
11
典型值
33
12
43
43
1.2
850
-1.7**
15
18
6
最大
单位
DBM
dB
DBM
%
A
mS
° C / W
的3截点
rd
阶互调,
f
= 6 GHz的V
DS
= 8 V,I
DS
= 500毫安, * P
SCL
= 20 dBm的
功率附加效率为1dB压缩功率,
f
饱和漏源电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
跨在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V,I
D
= 10毫安
热阻
BV
DGO
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
= 2.5毫安
注意:
* P
SCL
:单载波电平的输出功率。
*对于夹断电压的严格控制。 TC1601的被分为3组:
(1)
TC1601P1519
: VP = -1.5V至-1.9V ( 2 )
TC1601P1620
: VP = -1.6V至-2.0V
(3) TC1601P1721 : VP = -1.7V至-2.1V此外,客户可以指定他们的要求。
TRANSCOM ,INC。
90 Dasoong 7
th
道为基础的科学台南工业园,惺她享,台南县,台湾, ROC
网址:
www.transcominc.com.tw
电话: 886-6-5050086
传真: 886-6-5051602
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