TC2141
PRE2_20070504
低噪声和高动态范围封装的GaAs场效应管
特点
z
dB的典型噪声系数为12 GHz的
0.5
z
相关增益：嘎= 11.5分贝典型的12 GHz的
高
z
dBm的典型功率在12GHz
18.5
z
分贝典型的线性功率增益为12 GHz的
12.5
z
击穿电压： BV
≥
9V
z
= 0.25
µm,
WG = 160
µm
Lg
z
VP控制范围
紧
z
RF输入功率处理能力
高
z
％ DC测试
100
z
无铅气腔塑料包装
DGO
PHOTO扩建
描述
该TC2141是装在一个无铅气腔的塑料封装，高性能场效应晶体管
TC1101 PHEMT芯片。它具有非常低的噪声系数，高相关的增益和高的动态范围，使
该装置适合于在低噪声放大器。所有器件100 ％的直流测试，以保证稳定的质量。
电气规格（T
A
=25
°
C)
符号
NF
G
a
P
1dB
G
L
I
DSS
g
m
V
P
BV
DGO
R
th
条件
噪声系数在V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安，
f
= 12GHz的
在V相关的增益
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安，
f
= 12GHz的
输出功率1分贝增益压缩点，
f
= 12 GHz的V
DS
= 6 V，I
DS
= 25毫安
线性功率增益，
f
= 12GHz的V
DS
= 6 V，I
DS
= 25毫安
饱和漏源电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
跨在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V，I
D
= 0.32毫安
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
= 0.08毫安
热阻
民
10
17.5
11
典型值
0.5
11.5
18.5
12.5
48
55
-1.0*
12
250
最大
0.7
单位
dB
dB
DBM
dB
mA
mS
伏
伏
° C / W
9
绝对最大额定值（T
A
=25
°
C)
符号
参数
等级
典型噪声参数（T
A
=25
°
C)
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
+
选择
频率
NF
选择
G
A
Rn/50
（千兆赫）
（ dB）的
（ dB）的
MAG
昂
V
DS
漏源电压
7.0 V
2
0.35
18.4
0.98
18
0.42
V
GS
栅源电压
-3.0 V
4
0.37
16.8
0.84
35
0.36
I
DS
漏电流
I
DSS
6
0.39
15.2
0.67
56
0.28
I
GS
栅电流
160
µA
8
0.42
13.7
0.50
82
0.21
P
in
RF输入功率， CW
18 dBm的
10
0.48
12.3
0.35
115
0.13
P
T
连续耗散
150毫瓦
12
0.54
11.3
0.25
157
0.10
T
CH
通道温度
175
°C
14
0.63
10.8
0.22
206
0.09
T
英镑
储存温度
- 65
°C
到+175
°C
16
0.79
10.6
0.27
266
0.12
18
0.97
10.2
0.46
336
0.25
*对于的夹断电压范围的严格控制，我们把TC2131到3的型号，以适应客户的设计要求
（ 1 ） TC2131P0710 ： VP = -0.7V至-1.0V （ 2 ） TC2131P0811 ： VP = -0.8V至-1.1V （ 3 ） TC2131P0912 ： VP = -0.9V至-1.2V
如果需要的话，用户可以指定在购买文件的要求。对于特殊要求的副总裁，请与工厂联系获取详细信息。
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th
道为基础的科学台南工业园，惺她享，台南县，台湾。
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