TC2181
REV4_20070504
低噪声和高动态范围封装的GaAs场效应管
特点
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0.5分贝典型噪声系数为12 GHz的
关联度高增益：嘎= 12 dB的典型，在12 GHz的
18.5 dBm的典型功率在12GHz
13分贝典型的线性功率增益为12 GHz的
击穿电压： BV
DGO
≥
9V
LG = 0.25
µm,
WG = 160
µm
VP紧控制范围
高RF输入功率处理能力
100％的直流测试
微-X金属陶瓷封装
PHOTO扩建
描述
的TC2181是装在一个陶瓷微-X封装TC1101高性能场效应晶体管
PHEMT芯片。它具有非常低的噪声系数，高相关的增益和高的动态范围，使得该设备
适合于在低噪声放大器。所有器件100 ％的直流测试，以保证稳定的质量。
电气规格（T
A
=25
°
C)
符号
NF
G
a
P
1dB
G
L
I
DSS
g
m
V
P
R
th
条件
噪声系数在V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安，
f
= 12GHz的
= 12GHz的
= 12 GHz的V
DS
= 6 V，I
DS
= 25毫安
10
17.5
11
在V相关的增益
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安，
f
线性功率增益，
f
民
典型值
0.5
12
18.5
13
48
55
-1.0*
9
12
250
最大
0.7
单位
dB
dB
DBM
dB
mA
mS
伏
伏
° C / W
输出功率1分贝增益压缩点，
f
= 12GHz的V
DS
= 6 V，I
DS
= 25毫安
饱和漏源电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
跨在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V，I
D
= 0.32毫安
热阻
BV
DGO
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
= 0.08毫安
绝对最大额定值（T
A
=25
°
C)
符号
参数
等级
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
典型噪声参数（T
A
=25
°
C)
Γ
选择
频率
NF
选择
G
A
Rn/50
（ dB）的
（千兆赫）
（ dB）的
MAG
昂
V
DS
漏源电压
7.0 V
2
0.33
18.4
1.00
15
0.42
V
GS
栅源电压
-3.0 V
4
0.35
16.8
0.86
32
0.36
I
DS
漏电流
I
DSS
6
0.37
15.2
0.70
53
0.28
I
GS
栅电流
160
µA
8
0.40
13.8
0.53
79
0.20
P
in
RF输入功率， CW
18 dBm的
10
0.46
12.5
0.39
112
0.12
12
0.52
11.5
0.29
153
0.09
P
T
连续耗散
150毫瓦
14
0.61
11.0
0.26
202
0.08
T
CH
通道温度
175
°C
16
0.77
10.9
0.32
262
0.11
T
英镑
储存温度
- 65
°C
到+175
°C
18
0.95
10.6
0.51
332
0.24
*
对的夹断电压范围的严格控制，我们把TC2181到3的型号，以适应客户的设计要求
（ 1 ） TC2181P0710 ： VP = -0.7V至-1.0V （ 2 ） TC2181P0811 ： VP = -0.8V至-1.1V （ 3 ） TC2181P0912 ： VP = -0.9V至-1.2V
如果需要的话，用户可以指定在购买文件的要求。对于特殊要求的副总裁，请与工厂联系获取详细信息。
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th
道为基础的科学台南工业园，惺她享，台南县，台湾。
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电话： 886-6-5050086
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