TC2201
REV4_20070504
塑料封装的低噪声砷化镓PHEMT场效应管
PHOTO扩建
特点
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1.5分贝典型噪声系数为12 GHz的
关联度高增益：嘎= 7 dB的典型，在12 GHz的
21.5 dBm的典型功率在12GHz
8分贝典型的线性功率增益为12 GHz的
LG = 0.25
µm,
WG = 300
µm
VP紧控制范围
高RF输入功率处理能力
100％的直流测试
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低成本的塑料微型X包
描述
的TC2201是装在一个塑料封装TC1201高性能场效应晶体管
PHEMT芯片。它的低噪声系数，使该器件非常适合于低噪声放大器。所有器件
有100％的直流测试，以保证稳定的质量。
电气规格（T
A
=25
°
C)
符号
NF
G
a
P
1dB
G
L
I
DSS
g
m
V
P
BV
DGO
R
th
条件
噪声系数在V
DS
= 4 V，I
DS
= 25毫安，
f
= 12GHz的
在V相关的增益
DS
= 4 V，I
DS
= 25毫安，
f
= 12GHz的
输出功率1分贝增益压缩点，
f
= 12GHz的V
DS
= 6 V，I
DS
= 40毫安
线性功率增益，
f
= 12GHz的V
DS
= 6 V，I
DS
= 40毫安
饱和漏源电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
跨在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V，I
D
- 0.6毫安
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
= 0.15毫安
热阻
民
6
20.5
7
典型值
1.5
7
21.5
8
90
100
-1.0*
9
12
150
最大
2
单位
dB
dB
DBM
dB
mA
mS
伏
伏
° C / W
绝对最大额定值（T
A
=25
°
C)
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
GS
P
in
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
栅电流
RF输入功率， CW
连续耗散
通道温度
储存温度
等级
7.0 V
-3.0 V
I
DSS
300
µA
21 dBm的
400毫瓦
175
°C
- 65
°C
到+175
°C
*对于的夹断电压范围的严格控制，我们把
TC2201为3个型号，以适应客户的设计
需求
（ 1 ） TC2201P0710 ： VP = -0.7V至-1.0V
（ 2 ） TC2201P0811 ： VP = -0.8V至-1.1V
（ 3 ） TC2201P0912 ： VP = -0.9V至-1.2V
如果需要的话，用户可以指定在规定
采购文件。对于特殊要求的副总裁，请
请与工厂联系获取详细信息。
TRANSCOM ，INC。
90 Dasoong 7
th
道为基础的科学台南工业园，惺她享，台南县，台湾， ROC
网站： www.transcominc.com.tw
电话： 886-6-5050086
传真： 886-6-5051602
P1/4
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