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TC2282 参数 Datasheet PDF下载

TC2282图片预览
型号: TC2282
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内容描述: 低噪声陶瓷封装的GaAs PHEMT场效应管 [Low Noise Ceramic Packaged PHEMT GaAs FETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 225 K
品牌: TRANSCOM [ TRANSCOM, INC. ]
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TC2282
REV3_20070504
低噪声陶瓷封装的GaAs PHEMT场效应管
特点
0.5分贝典型噪声系数为12 GHz的
关联度高增益:嘎= 12 dB的典型,在12 GHz的
LG = 0.25
µm,
WG = 300
µm
VP紧控制范围
高RF输入功率处理能力
100%的直流测试
微-X金属陶瓷封装
PHOTO扩建
描述
的TC2282是装在一个陶瓷微-X封装TC1202高性能场效应晶体管
PHEMT芯片。它具有非常低的噪声系数,高相关的增益和高的动态范围,使得该设备
适合于在低噪声放大器。所有器件100 %的直流测试,以保证稳定的质量。
电气规格(T
A
=25
°
C)
符号
NF
G
a
I
DSS
g
m
V
P
BV
DGO
R
th
条件
噪声系数在V
DS
= 4 V,I
DS
= 25毫安,
f
= 12GHz的
在V相关的增益
DS
= 4 V,I
DS
= 25毫安,
f
= 12GHz的
饱和漏源电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
跨在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V,I
D
- 0.6毫安
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
= 0.15毫安
热阻
11
典型值
0.5
12
90
100
-1.0*
5
9
150
最大
0.7
单位
dB
dB
mA
mS
° C / W
绝对最大额定值(T
A
=25
°
C)
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
GS
P
in
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
栅电流
RF输入功率, CW
连续耗散
通道温度
储存温度
等级
5.0 V
-3.0 V
I
DSS
300
µA
20 dBm的
400毫瓦
175
°C
- 65
°C
到+175
°C
典型噪声参数(T
A
=25
°
C)
V
DS
= 4 V,I
DS
= 25毫安
频率
NF
选择
G
A
Γ
选择
Rn/50
MAG
2
0.33
26.0
0.76
40
0.38
4
0.37
20.1
0.67
78
0.31
6
0.41
16.7
0.60
110
0.24
8
0.46
14.3
0.55
136
0.20
10
0.52
12.7
0.50
162
0.16
12
0.56
11.7
0.46
188
0.14
14
0.68
11.1
0.43
-143
0.14
16
0.80
10.9
0.40
-109
0.14
18
0.98
10.8
0.37
-67
0.16
*
对的夹断电压范围的严格控制,我们把TC2282到3的型号,以适应客户的设计要求
( 1 ) TC2282P0710 : VP = -0.7V至-1.0V ( 2 ) TC2282P0811 : VP = -0.8V至-1.1V ( 3 ) TC2282P0912 : VP = -0.9V至-1.2V
如果需要的话,用户可以指定在购买文件的要求。对于特殊要求的副总裁,请与工厂联系获取详细信息。
TRANSCOM ,INC。
90 Dasoong 7
th
道为基础的科学台南工业园,惺她享,台南县,台湾, ROC
网站: www.transcominc.com.tw
电话: 886-6-5050086
传真: 886-6-5051602
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