TC2384
REV4_20070507
低噪声功率和中功率封装的GaAs场效应管
特点
!
0.9分贝典型噪声系数在12GHz的
!
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关联度高增益：嘎= 10分贝典型的12GHz的
典型为23.5dBm时功率为12 GHz
11分贝典型功率增益为12GHz的
击穿电压： BV
DGO
≥
9V
LG = 0.25
µm,
WG = 600
µm
VP紧控制范围
高RF输入功率处理能力
100％的直流测试
微-X金属陶瓷封装
PHOTO扩建
描述
的TC2384是装在一个陶瓷微-X封装TC1304高性能场效应晶体管
PHEMT芯片。它具有非常低的噪声系数，高相关的增益和高的动态范围，使得该设备
适合于在低噪声放大器。所有器件100 ％的直流测试，以保证稳定的质量。
电气规格（T
A
=25
°
C)
符号
NF
G
a
P
1dB
G
L
I
DSS
g
m
V
P
BV
DGO
R
th
条件
噪声系数在V
DS
= 4 V，I
DS
= 50毫安，
f
= 12GHz的
= 12GHz的
= 12GHz的V
DS
= 6 V，I
DS
= 80毫安
7.5
23.5
9
在V相关的增益
DS
= 4 V，I
DS
= 50毫安，
f
线性功率增益，
f
民
典型值
0.9
9
24.5
10
180
200
-1.0*
9
12
75
最大
1.2
单位
dB
dB
DBM
dB
mA
mS
伏
伏
° C / W
输出功率1分贝增益压缩点，
f
= 12GHz的V
DS
= 6 V，I
DS
= 80毫安
饱和漏源电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
跨在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V，I
D
= 1.2毫安
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
= 0.3毫安
热阻
绝对最大额定值（T
A
=25
°
C)
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
GS
P
in
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
栅电流
RF输入功率， CW
连续耗散
通道温度
储存温度
等级
7.0 V
-3.0 V
I
DSS
600
µA
24 dBm的
800毫瓦
175
°C
- 65
°C
到+175
°C
典型噪声参数（T
A
=25
°
C)
V
DS
= 4 V，I
DS
= 50毫安
频率
（千兆赫）
2
4
6
8
10
12
14
16
18
NF
选择
（ dB）的
0.36
0.48
0.59
0.70
0.82
0.93
1.05
1.16
1.27
G
A
（ dB）的
19.7
16.6
14.3
12.7
11.7
10.9
10.4
9.8
9.0
Γ
选择
MAG
0.80
0.67
0.56
0.49
0.46
0.45
0.46
0.47
0.48
昂
15
39
64
92
120
148
174
-162
-141
Rn/50
0.28
0.18
0.15
0.12
0.09
0.06
0.04
0.04
0.07
*对于的夹断电压范围的严格控制，我们把TC2384到3的型号，以适应客户的设计要求
（ 1 ） TC2384P0710 ： VP = -0.7V至-1.0V （ 2 ） TC2384P0811 ： VP = -0.8V至-1.1V （ 3 ） TC2384P0912 ： VP = -0.9V至-1.2V
如果需要的话，用户可以指定在购买文件的要求。对于特殊要求的副总裁，请与工厂联系获取详细信息。
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90 Dasoong 7
th
道为基础的科学台南工业园，惺她享，台南县，台湾， ROC
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电话： 886-6-5050086
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