TC2571
REV4_20070906
1 W低成本封装的GaAs PHEMT功率场效应
特点
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在6 GHz 1W的典型输出功率
11分贝典型功率增益在6 GHz
高线性度： IP3 = 40 dBm的典型在6GHz
高功率附加效率：
PAE
≥
43 ％的A类操作
适用于高可靠性的应用
击穿电压： BV
DGO
≥
15 V
LG = 0.35
µm,
WG = 2.4毫米
VP紧控制范围
高RF输入功率处理能力
100％的直流测试
低成本陶瓷封装
PHOTO扩建
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描述
该TC2571封装与TC1501假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ）
砷化镓功率芯片。 Cu基陶瓷封装提供了砷化镓场效应管优良的热传导性。
所有器件100 ％的直流测试，以保证稳定的质量。典型的应用包括高动态范围
功率放大器商用和军用高性能功率应用。
电气规格（T
A
=25℃)
符号
P
1dB
G
1dB
IP3
PAE
I
DSS
g
m
V
P
条件
输出功率1分贝增益压缩点，
f
= 6GHz的V
DS
= 8 V，I
DS
= 240毫安
功率增益为1分贝增益压缩，
f
= 6GHz的V
DS
= 8 V，I
DS
= 240毫安
截取点的3阶互调的，
f
= 6GHz的V
DS
= 8 V，I
DS
= 240毫安， * P
SCL
= 17 dBm的
rd
民
典型值
最大
单位
29.5
30
11
40
43
600
400
-1.7**
DBM
dB
DBM
dB
mA
mS
伏
伏
° C / W
功率附加效率为1dB压缩功率，
f
= 6GHz的
饱和漏源电流在V
DS
= 2 V, V = 0 V
GS
跨在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V，I
D
= 4.8毫安
15
BV
DGO
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
-1.2毫安
R
th
热阻
18
20
* P
SCL
：单载波电平输出功率
**对于的夹断电压范围的严格控制，我们把TC2571到3的型号，以适应客户的设计要求
（ 1 ） TC2571P1519 ： VP = -1.5V至-1.9V （ 2 ） TC2571P1620 ： VP = -1.6V至-2.0V （ 3 ） TC2571P1721 ： VP = -1.7V至-2.1V
如果需要的话，用户可以指定在购买文件的要求。对于特殊要求的副总裁，请与工厂联系获取详细信息。
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th
道为基础的科学台南工业园，惺她享，台南县台湾， ROC
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