TC2997G
PRE2_20071107
初步
3.5 GHz的16 W法兰瓷封装的GaAs功率场效应管
特点
16 W的典型功耗为3.5 GHz的
9分贝典型的线性功率增益为3.5 GHz的
高线性度： IP3 = 52 dBm的典型
高功率附加效率： 37％额定PAE
100％的DC和RF测试
法兰瓷封装
适用于WiMax和WLL应用
PHOTO扩建
描述
该TC2997G是一个打包的假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ）功率
晶体管。凸缘陶瓷封装提供了砷化镓场效应管的最佳热传导性。所有
设备是100％的直流和射频测试，以保证稳定的质量。典型的应用包括高
动态范围功率放大器用于商业应用。
电气规格
符号
P
1dB
G
L
IP3
PAE
I
DSS
g
m
V
P
BV
DGO
R
th
条件
在1分贝增益压缩点， VD = 10V ，ID = 4A ， F = 3.4的输出功率 - 3.6GHz的
线性功率增益VD = 10V ，ID = 4A ， F = 3.4 - 3.6GHz的
的3截点
rd
阶互调， VD = 10V ，ID = 4A ， F = 3.4 - 3.6GHz的， * P
SCL
= 32 dBm的
民
41.5
8
典型值
42.5
9
52
37
18.75
13500
-1.7
20
22
0.6
最大
单位
DBM
dB
DBM
%
A
mS
伏
伏
° C / W
在1dB压缩功率功率附加效率
饱和漏源电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
跨在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V，I
D
= 60毫安
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
?? 15毫安
热阻
*P
SCL
：单载波电平，频率变化= 5MHz时的输出功率。
25绝对最大额定值
C
符号
V
DS
V
GS
I
DS
P
in
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
RF输入功率， CW
连续耗散
通道温度
储存温度
等级
12 V
-5 V
I
DSS
37.5 dBm的
150 W
175
C
- 65
C
到+175
C
操作注意事项：
用户必须操作在一个干净，干燥的环境中。
静电放电（ ESD ）预防措施
在存储的所有阶段被观察，处理
装配和测试。静电放电必须是
比300V少。
TRANSCOM ，INC。
90 Dasoong 7
th
道为基础的科学台南工业园，山花仁，台南县，台湾
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传真： 886-6-5051602
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